半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供了以低成本来制造出InGaAs基极Ctop HBT之半导体装置的制造方法。其作法系采用离子半径小的氦，对含有未掺杂InGaAs间隙壁层、n型InP集极层、n型InGaAs上盖层、以及集极所构成的积层膜所未被覆到的p型 InGaAs层(外部基极区域)，以垂直或偏离垂直面3度以内的角度，进行离子植入。藉而可维持外部基极区域的p型 InGaAs之低电阻p型传导，况且，可使外部射极区域的n型 InAlAs层具有高电阻，因之，未增加制程数即可缩小InGaAs基极C top HBT的晶片尺寸，而收降低成本之效。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于包含以下诸项制程:在半导体基板上由该基板侧起依序形成第1.第2.及第3半导体层;对上述第3半导体层加工成特定的形状;对上述第2半导体层之中未受到上述第3半导体被覆的区域,以垂直于上述第3半导体层的表面或与垂直面偏离3度之内的角度,进行离子植入。2.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,上述第1.第2.第3半导体层,分别是集极在上式(Collector-top)异质介面双极性电晶体的射极层、基极层、集极层。3.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,上述半导体基板、射极层、基极层,分别是InP、InAlAs、InGaAs。4.如申请专利范围第2项之半导体装置的制造方法,其中,上述半导体基板、射极层、基极层,分别是InP、InAlAs、InGaAs。5.如申请专利范围第1项之半导体装置的制造方法,其中,上述离子系He离子,植入能量为50keV以上200keV以下,植入量为51012cm-2以上21013cm-2以下的范围。6.如申请专利范围第2项之半导体装置的制造方法,其中,上述离子系He离子,植入能量为50keV以上200keV以下,植入量为51012cm-2以上21013cm-2以下的范围。7.如申请专利范围第3项之半导体装置的制造方法,其中,上述离子系He离子,植入能量为50keV以上200keV以下,植入量为51012cm-2以上21013cm-2以下的范围。图式简单说明:图1系C top HBT的基本结构之截面图;图2系适用本发明之半导体装置的制造方法所制得之多指型InGaAs基极C top HBT的截面图;图3系用来说明穿隧植入之截面模式图;图4所示之特性线图,系表示经穿隧植入后之p型InGaAs(白色圆圈)及n型InAlAs(黑色圆圈)的电阻率对植入量的关系;图5系根据本发明之半导体装置的制造方法所揭示的第1实施形态例中,对InGaAs基极C top HBT植入氦离子时之截面结构图;图6系图5所示步骤的次一步骤之截面结构图;图7系一种电力放大器用之MMIC的电路结构图,具有依照本发明之半导体装置的制造方法所制得之Ctop InGaAs基极HBT;图8系一种使用电力放大器用MMIC的行动式电力放大器模组之概略截面图,其电力放大器用MMIC具有依照本发明之半导体装置的制造方法所制得之Ctop InGaAs基极HBT。