| 主权项 |
1.一种主动式表面电浆子共振晶片,至少包含:一第一层金属;一最外层金属;及一奈米复层结构,具有高折射率材料与低折射率材料形成一层以上之结构,且位于该第一层金属及该最外层金属之间,藉由该奈米复层结构之设置可达共振角与波长调变之作用。2.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该第一层金属与该最外层金属可为相同金属呈现对称型结构。3.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该第一层金属与该最外层金属可为不同之金属,呈现非对称型结构。4.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该主动式表面电浆子共振晶片系采用溅镀法(Sputter)进行薄膜沉积。5.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该主动式表面电浆子共振晶片系采用化学气相沉积法(CVD)进行薄膜沉积。6.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该主动式表面电浆子共振晶片系采用分子束磊晶技术(MBE)进行薄膜沉积。7.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该主动式表面电浆子共振晶片系采用面型雷射二极体(VCSEL)部分方法制作。8.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该主动式表面电浆子共振晶片系采用微机电制程技术方法制作。9.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该奈米复层结构之各层厚度介于10奈米至1000奈米之间。10.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该奈米复层结构系以高折射率材料与低折射率材料形成之组(pair)所组成,组数可为1组至数十组之间。11.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该奈米复层结构之总厚度不超过900奈米。12.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为硫化锌(Zinc Sulfide)。13.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为氟化镁(Magnesium Fluoride)。14.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为氮化镓(GaN)。15.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为氧化铟锡(ITO)。16.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为蹄化锌(ZnTe)。17.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为碲化铍锌(BeZnTe)。18.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为硒化镁/蹄化铍锌(MgSe/BeZnTe)。19.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为砷化铟镓(InGaAs)。20.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为磷化铟(InP)。21.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为砷化镓(GaAs)。22.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为砷铝化镓(AlxGal-xAs)。23.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为砷锑化镓(GaAsSb)。24.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为铝氮化镓(AlxGal-xN)。25.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该高折射率材料与低折射率材料可为不同金属介质层。26.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该第一层金属可与石英或玻璃基质耦合。27.如申请专利范围第1项所述之主动式表面电浆子共振晶片,其中该第一层金属可植布生物分子。图式简单说明:第一图系为本发明之组成结构图第二图系为本发明之正视图第三图系为本发明之仰视图第四图系为反射率与共振波长之曲线图第五图系为反射率与共振波长之曲线图第六图系为反射率与共振角度之曲线图第七图系为反射率与共振角度之曲线图第八图系为反射率与共振波长之曲线图第九图系为反射率与共振波长之曲线图 |
