发明名称 于宝石或工业钻石上的标记形成方法
摘要 为将一微标记形成于一钻石(7)的平台(7a)上,一固持件或套座(11)会与该钻石(7)一起被旋转,一光阻会涂敷于该平台(7a)上,该光阻会藉加热该套座(11)的底部而被烘烤,且该套座(11)会被移送至一装置的平台(30)上来曝光该光阻。该光阻会被使用具有一图案的曝光辐射经由一接物透镜(38)来曝光,而该图案系为一罩幕(35)的缩小影像。该曝光辐射系藉一辐射源(31)来投射,其可为350至450nm的波长。为能定位、定向及聚焦该影像,该辐射源(31)系被设成可投射500至550nm波长范围的光,其将不会影响该光阻而能在平台(7a)上形成一调定影像。该调定影像系透过该接物透镜(38)及一封束分离器(36),而在一观察平面(44)来被观察。于曝光之后,该光阻会被显影,嗣该平台(7a)的曝光区域将会被使用一电浆来铣削。
申请公布号 TW590863 申请公布日期 2004.06.11
申请号 TW091102622 申请日期 2002.02.15
申请人 九圣公司 发明人 詹姆斯G. C. 史密斯;凯斯B. 盖伊
分类号 B28D5/00 主分类号 B28D5/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北市松山区南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种在一宝石或工业钻石上形成一标记的方法,乃包含投射一曝光辐射于该宝石或钻石上而于其上形成一曝光影像,该方法亦包含藉由投射一与该曝光辐射不同的调定辐射于该宝石或钻石上来定位、定向及/或聚焦该曝光影像,而在该宝石或钻石上形成一调定影像,该调定辐射以不会影响该宝石或钻石的方式形成或将形成一标记,在该宝石或钻石上的调定影像会在光径之外被感测,该光径即该调定辐射在到达该宝石或钻石之前所依循的路径,又在该宝石或钻石上之调定影像的位置、方向及/或焦点将会被调整,而来调整该曝光影像的位置、方向及/或焦点。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定及曝光辐射具有不同的波长。4.如申请专利范围第2项之方法,其中该调定及曝光辐射具有不同的波长。5.如申请专利范围第1项之方法。其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射并经由该接物透镜或透镜系统来感测,以及该调定及曝光辐射具有不同的波长,更且其中该接物透镜或透镜系统会被修正以供该调定辐射及曝光辐射使用。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定与曝光辐射乃具有相同的波长或波段,但该调定辐射的强度系低于该曝光辐射。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该标记系以刻板术来形成,并有一光阻已被涂设在该宝石或工业钻石上,该光阻系不敏感于该调定辐射。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定辐射系在可见光范围内。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该调定影像系以肉眼来检视。10.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定影像系以一电子影像检测器来感测。11.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定影像系经由一罩幕投射该调定辐射来形成,而该曝光影像系经由一罩幕投射该曝光辐射来形成。12.如申请专利范围第11项之方法,其中该调定罩幕系至少部份相同于该曝光罩幕,而该调定辐射与曝光辐射皆经由该罩幕来投射,且该光学系统会被修正以供该调定辐射及曝光辐射使用。13.如申请专利范围第12项之方法,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。14.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定与曝光罩幕系以一罩幕来形成,该罩幕包含至少一调定区不能透射该曝光辐射但能透射该调定辐射,及至少一曝光区系可透射该曝光辐射,该调定区会形成一形状以供定位、定向及聚焦该宝石或钻石上的曝光影像,该方法包含经由该罩幕来投射该调定影像,在该宝石或钻石上形成一调定影像,在该宝石或钻石上定位、定向及/或聚焦该调定影像,及经由该罩幕来投射该曝光辐射而在该宝石或钻石上形成一曝光影像,然后在该宝石或钻石上形成该标记。15.如申请专利范围第14项之方法,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。16.如申请专利范围第14项之方法,其中该曝光区界定出一对应于所要形成之标记形状的形状。17.如申请专利范围第14项之方法,其中该曝光区系为可透射该曝光辐射之一较大区域,而该曝光辐射会被扫描。18.如申请专利范围第1项之方法,其中该曝光影像系以相当的缩小倍率经由一罩幕来投射该曝光辐射所形成者。19.如申请专利范围第14项之方法,该曝光影像系以相当的缩小倍率经由一罩幕来投射该曝光辐射所形成。20.如申请专利范围第18项之方法,该曝光影像最大约为该罩幕之线性尺寸的十分之一。21.如申请专利范围第19项之方法,该曝光影像最大约为该罩幕之线性尺寸的十分之一。22.如申请专利范围第1项之方法,该曝光影像系经由一罩幕来投射该曝光辐射所形成者,该罩幕包含至少一区域系由个别的像元所形成,该等像元的罩蔽效果系可任意改变,而能在接续的宝石或钻石上投射不同的曝光影像。23.如申请专利范围第22项之方法,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。24.如申请专利范围第1项之方法,其中该调定与曝光辐射系经由一封束分离器来投射,且该调定影像系透过该射束分离器来观视。25.一种在一宝石上形成一标记的方法,乃包含经由一罩幕投射一曝光辐射于该宝石上而在其上形成一曝光影像,该罩幕含有至少一区域系由个别的像素所形成,该等像素的罩蔽效果系可任意改变,藉由改变该罩幕的罩蔽效果而能在接续的宝石上投射不同的曝光影像。26.一种可使用一曝光辐射在一宝石或钻石上形成一标记的装置,乃包含:一光学系统可投射一影像于该宝石或钻石上;可投射该曝光辐射而在该宝石或钻石上形成一曝光影像的装置;可投射一调定辐射而在该宝石或钻石上形成一调定影像的装置,该调定辐射以不会影响该宝石或钻石表面的方式形成或将形成一标记;可感测该调定影像的装置,该装置系在光径外部,该光径即为调定辐射在到达宝石或钻石之前所依循的路径;及可供调整该宝石或钻石上的该调定影像之位置、方向及/或焦点,而来调整该宝石或钻石上的曝光影像之位置、方向及/或焦点的装置。27.如申请专利范围第26项之装置,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。28.如申请专利范围第26项之装置,其中该调定及曝光辐射具有不同的波长。29.如申请专利范围第27项之装置,其中该调定及曝光辐射具有不同的波长。30.如申请专利范围第26项之装置,其中其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射并经由该接物透镜或透镜系统来感测,以及该调定及曝光辐射具有不同的波长,更且其中该接物透镜或透镜系统会被修正以供该调定辐射及曝光辐射使用。31.如申请专利范围第26项之装置,其中其中该调定与曝光辐射乃具有相同的波长或波段,但该调定辐射的强度系低于该曝光辐射。32.如申请专利范围第26项之装置,其中该调定辐射系在可见光范围内。33.如申请专利范围第32项之装置,其中该调定影像能以肉眼观视,而可藉肉眼来调整该宝石或钻石上之调定影像的位置,方向及/或焦点。34.如申请专利范围第33项之装置,以及包含有放大装置以供肉眼来观视该调定影像。35.如申请专利范围第26项之装置,乃包含有一电子影像检测器可检测该调定记号,而来提供一信号以供调整该宝石或钻石上之调定影像的位置及/或焦点。36.如申请专利范围第35项之装置,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。37.如申请专利范围第26项之装置,以及包含可供固持一罩幕的装置,该光学系统系可投射该罩幕的影像于该宝石或钻石上。38.如申请专利范围第37项之装置,其中该光学系统会以相当的缩小倍率来投射该标记的影像。39.如申请专利范围第38项之装置,其中该曝光影像最大约为该罩幕之线性尺寸的十分之一。40.如申请专利范围第37项之装置,其中该罩幕包含至少一区域系由个别的像素所形成,该等像素的罩蔽效果系可任意改变,而能在接续的宝石或钻石上投射不同的曝光影像。41.如申请专利范围第38项之装置,其中该罩幕包含至少一区域系由个别的像素所形成,该等像素的罩蔽效果系可任意改变,而能在接续的宝石或钻石上投射不同的曝光影像。42.如申请专利范围第41项之装置,其中该调定影像系经由一接物透镜或透镜系统来投射,并经由该接物透镜或透镜系统来感测。43.如申请专利范围第39项之装置,其中该罩幕包含至少一区域系由个别的像素所形成,该等像素的罩蔽效果系可任意改变,而能在接续的宝石或钻石上投射不同的曝光影像。44.一种可使用一曝光辐射在一宝石上形成一标记的装置,乃包含:一罩幕含有至少一区域系由个别的像素所形成,该等像素的罩蔽效果系可任意改变;及一光学系统可投射该标记之影像于该宝石上来形成一曝光影像,而能在接续的宝石或钻石上投射不同的曝光影像。45.一种宝石或工业钻石,其上系被以如申请专利范围第1项之方法来形成一标记者。46.一种宝石或工业钻石,其上系被以如申请专利范围第14项之方法来形成一标记者。图式简单说明:第1图系为一剖视示意图,乃示出固定一宝石来形成一套座的方法;第2图系为一光学示意图,乃示出以微刻板术在一宝石上形成一标记的方法;及第3图系示出一可适用于第2图之光学系统的调定罩幕。
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