| 主权项 |
1.一种于深沟槽结构上形成浅沟槽之方法,该深沟层结构至少包含一基底、形成于该基底上的垫氧化层、垫氮化层,蚀刻其上形成有垫氧化层以及垫氮化层之基底以形成一深沟槽,该深沟槽中系至少填入复晶矽,该方法包含步骤有:于深沟槽结构上形成一衬垫层;于该衬垫层上形成一非晶矽层;将选定之离子植入该非晶矽层之部分区域;使该非晶矽层氧化以形成一氧化层,其中该非晶矽层有植入该选定离子之区域以及未被植入该选定离子之区域所形成的氧化层厚度不同,该深沟槽之复晶矽上方有一部分区域的氧化层之厚度较厚;移除部分该氧化层,以使该氧化层厚度较薄的区域被移除,而厚度较厚的部分有剩余的氧化层;移除未被该剩余的氧化层覆盖的衬垫层部分,使被移除之衬垫层部分下的复晶矽暴露出;以及移除暴露出的复晶矽以形成浅沟槽。2.如申请专利范围第1项之方法,尚包含步骤有在形成浅沟槽之后,移除剩下的氧化层与衬垫层。3.如申请专利范围第1项之方法,其中该离子系选定以使该非晶矽层有植入该选定离子之区域所形成的氧化层厚度较薄,而未被植入该选定离子之区域所形成的氧化层厚度较厚。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该选定之离子为N2+离子。5.如申请专利范围第1项之方法,其中该选定之离子系以离子斜角布植法植入,以使该非晶矽层有植入该选定离子之区域以及未被植入该选定离子之区域所形成的氧化层厚度不同。图式简单说明:图1a至图1d系显示先前技术中用以在深沟槽结构上形成浅沟槽之方法的各步骤;以及图2a至图2f系显示根据本发明之用以在深沟槽结构上形成浅沟槽之方法的各步骤。 |
