| 主权项 |
1.一种双重金属镶嵌(Dual Damascene)制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括由下往上堆叠之一第一介电层与一第二介电层;于该第二介电层与该第一介电层中定义一介层窗(Via)图形;形成一第一光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该第二介电层;形成一第二光阻层覆盖该第一光阻层;于该第二光阻层中且于该介层窗图形上方定义出一沟渠(Trench)图形;以该第二光阻层为罩幕,去除部分之该第一光阻层;以该第二光阻层为罩幕,去除该第二介电层,藉以暴露出部分之该第一介电层;以及去除该第二光阻层与该第一光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该基材与该第一介电层间更包括一第一蚀刻终止层(Etching Stop Layer)。3.如申请专利范围第2项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一蚀刻终止层之材质为氮化矽。4.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一介电层间与该第二介电层间更包括一第二蚀刻终止层。5.如申请专利范围第4项所述之双重金属镶嵌制程,其中以该第二光阻层为罩幕,去除部分之该第一光阻层之步骤之后,该第一光阻层之高度约至该第二蚀刻终止层之高度。6.如申请专利范围第4项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二蚀刻终止层之材质为氮化矽。7.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该去除部分之该第一光阻层之步骤系以临场(In-situ)之方式进行。8.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一介电层之材质为氧化物。9.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二介电层之材质为氧化物。10.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该形成该第一光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该第二介电层之步骤之后更包括一热烘烤(HotBake)步骤,藉以增强该第一光阻层之硬度。11.如申请专利范围第10项所述之双重金属镶嵌制程,其中该热烘烤步骤系使用一热垫板(Hot Plate)。12.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该一光阻层与该第二光阻层为反向光阻。13.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一光阻层为负光阻,该第二光阻层为正光阻。14.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二光阻层为负光阻,该第一光阻层为正光阻。15.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第二光阻层与该第一光阻层之后,更包括形成一金属层于该第一介电层之介层窗图形中与该第二介电层之沟渠图形中。16.如申请专利范围第1项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第二光阻层与该第一光阻层之后,更包括形成一铜层于该第一介电层之介层窗图形中与该第二介电层之沟渠图形中。17.一种双重金属镶嵌制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括由下往上堆叠之一第一蚀刻终止层、一第一介电层、一第二蚀刻终止层、与一第二介电层;于该第二介电层、该第二蚀刻终止层、与该第一介电层中定义一介层窗图形,藉以暴露出部分之该第一蚀刻终止层;形成一负光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该第二介电层;形成一正光阻层覆盖该负光阻层;于该正光阻层中且于该介层窗图形上方定义出一沟渠图形;以该正光阻层为罩幕,去除部分之该负光阻层;以该正光阻层为罩幕,去除部分之该第二介电层与部分之该第二蚀刻终止层,藉以暴露出部分之该第一介电层;以及去除该正光阻层与该负光阻层。18.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一蚀刻终止层之材质为氮化矽。19.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二蚀刻终止层之材质为氮化矽。20.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该去除部分之该负光阻层之步骤系以临场之方式进行。21.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一介电层之材质为氧化物。22.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二介电层之材质为氧化物。23.如申请专利范围第17项所述之双重金属镶嵌制程,其中该形成该负光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该第二介电层之步骤之后更包括一热烘烤步骤,藉以增强该负光阻层之硬度。24.如申请专利范围第23项所述之双重金属镶嵌制程,其中该热烘烤步骤系使用一热垫板。25.一种双重金属镶嵌制程,至少包括:提供一基材,其中该基材上至少包括一介电层;于该介电层中定义一介层窗图形;形成一第一光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该介电层;形成一第二光阻层覆盖该第一光阻层;于该第二光阻层中且于该介层窗图形上方定义出一沟渠图形;以该第二光阻层为罩幕,去除部分之该第一光阻层与该介电层之部分厚度;以及去除该第二光阻层与该第一光阻层。26.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该基材与该介电层间更包括一蚀刻终止层。27.如申请专利范围第26项所述之双重金属镶嵌制程,其中该蚀刻终止层之材质为氮化矽。28.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该去除部分之该第一光阻层之步骤系以临场之方式进行。29.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该介电层之材质为氧化物。30.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该形成该第一光阻层填入该介层窗图形中并覆盖该介电层之步骤之后更包括一热烘烤步骤,藉以增强该第一光阻层之硬度。31.如申请专利范围第30项所述之双重金属镶嵌制程,其中该热烘烤步骤系使用一热垫板。32.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该一光阻层与该第二光阻层为反向光阻。33.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第一光阻层为负光阻,该第二光阻层为正光阻。34.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中该第二光阻层为负光阻,该第一光阻层为正光阻。35.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第二光阻层与该第一光阻层之后,更包括形成一金属层于该介层窗图形中与该沟渠图形中。36.如申请专利范围第25项所述之双重金属镶嵌制程,其中去除该第二光阻层与该第一光阻层之后,更包括形成一铜层于该介层窗图形中与该沟渠图形中。图式简单说明:第1图至第7图系绘示习知先蚀刻介层窗式之双重金属镶嵌制程之制程剖面图。第8图至第14图系绘示依照本发明一较佳实施例的一种双重金属镶嵌制程之制程剖面图。 |
