| 主权项 |
1.一种形成瓶型沟槽的方法,其步骤包括:提供一形成有垫层结构以及沟槽的半导体基底;形成一遮蔽层于该沟槽之下半部;以液相沈积方法形成一液相沈积氧化层于该沟槽之侧壁上;移除该遮蔽层而露出该沟槽之下半部;对该液相沈积氧化层进行退火;以及蚀刻该沟槽下半部之未被该液相沈积氧化层覆盖的半导体基底而形成瓶型沟槽。2.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该遮蔽层为光阻。3.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该液相沈积氧化层之厚度为10~1000埃。4.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该最后之蚀刻步骤系以NH4OH、HNO3之湿蚀刻或非等向性乾蚀刻进行。5.如申请专利范围第1项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该垫层结构包括一氧化层以及一氮化层。6.一种形成瓶型沟槽的方法,其步骤包括:提供一形成有垫层结构以及沟槽的半导体基底;形成一保护层于该垫层结构上以及该沟槽之侧壁上;形成一遮蔽层于该沟槽之下半部;以液相沈积方法形成一液相沈积氧化层于该保护层上;移除该遮蔽层而露出该沟槽之下半部;对该液相沈积氧化层进行退火;移除未被该液相沈积氧化层覆盖之保护层;以及蚀刻该沟槽下半部之未被该液相沈积氧化层覆盖的半导体基底形成一瓶型沟槽。7.如申请专利范围第6项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该保护层为介电材料。8.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该介电材料为氧化层。9.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该遮蔽层为光阻。10.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该液相沈积氧化层之厚度为10~1000埃。11.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该最后之蚀刻步骤系以NH4OH、HNO3之湿蚀刻或非等向性乾蚀刻进行。12.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该垫层结构包括一氧化层以及一氮化层。13.如申请专利范围第7项所述之形成瓶型沟槽的方法,其中该保护层之移除系以BHF或DHF中一者进行。图式简单说明:第1A~1E图系绘示本发明之实施例1之形成瓶型沟槽的方法的制程剖面图。第2A~2E图系绘示本发明之实施例2之形成瓶型沟槽的方法的制程剖面图。 |
