覆晶封装制程

摘要

一种覆晶封装制程乃先形成锥状凸块于晶圆之主动表面上，之后再利用锥状凸块刺穿一乾式底胶层，其中底胶层可形成于晶片之主动表面上或承载器之晶片接合区上。因此，锥状凸块之顶端对应连接至承载器之接合垫，以使晶片可经由锥状凸块而电性及机械性连接于承载器，接下来将不须再进行一底胶充填制程，而是直接由预先形成之底胶层取代知之底胶，用以保护锥状凸块，并缓冲晶片与承载器之间的热应变的现象。伍、(一)、本案代表图为：第 2D 图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：200：覆晶封装结构 202：承载器204：接合垫 205：介电层208：晶片 214：焊垫222：锥状凸块 230：底胶层

主权项

1.一种覆晶封装制程,至少包括:提供一晶圆,该晶圆具有一主动表面以及复数个焊垫,该些焊垫系配置于该主动表面;分别形成一锥状凸块于该些焊垫之表面;披覆一乾式底胶薄膜于该晶圆之该主动表面,并利用该些锥状凸块之顶端刺穿该底胶薄膜;切割该晶圆,以形成单颗化之复数个晶片;提供一承载器,该承载器具有一晶片接合区以及复数个接合垫,该些接合垫系配置于该晶片接合区;以及将该些晶片之一配置于该承载器之该晶片接合区,而该些锥状凸块之顶端分别对应接触该些接合垫之一,且该乾式底胶薄膜覆盖于该晶片接合区之上。2.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括印刷。3.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括打线的方式。4.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中形成该乾式底胶薄膜之后,更包括一半固化制程。5.如申请专利范围第1项所述之覆晶封装制程,其中在该些晶片之一配置于该承载器之后,更包括一固化制程。6.一种覆晶封装制程,适用于将一晶片接合至一承载器,其中该晶片具有一主动表面及复数个焊垫,而该些焊垫系配置于该主动表面,且该承载器更具有一晶片接合区及复数个接合垫,而该些接合垫系配置于该晶片接合区该覆晶封装制程至少包括:分别形成一锥状凸块于该些焊垫之表面;披覆一乾式底胶层于该晶圆之该主动表面,并利用该些锥状凸块之顶端刺穿该乾式底胶层;以及将该晶片配置于该承载器上,而该些锥状凸块之顶端分别对应接触该些接合垫之一,且该乾式底胶层覆盖于该晶片接合区之上。7.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括印刷。8.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括打线的方式。9.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中形成该乾式底胶层之后,更包括一半固化制程。10.如申请专利范围第6项所述之覆晶封装制程,其中该晶片配置于该承载器之后,更包括一固化制程。11.一种覆晶封装制程,适用于将一晶片接合至一承载器,其中该晶片具有一主动表面及复数个焊垫,而该些焊垫系配置于该主动表面,且该承载器更具有一晶片接合区及复数个接合垫,而该些接合垫系配置于该晶片接合区,该覆晶封装制程至少包括:分别形成一锥状凸块于该焊垫之表面;披覆一乾式底胶层于该承载器之该晶片接合区,且该乾式底胶层还覆盖于该些接合垫之表面;以及将该晶片配置于该承载器上,且该锥状凸块之顶端系刺穿该乾式底胶层,并对应接触该些接合垫之一。12.如申请专利范围第11项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括印刷。13.如申请专利范围第11项所述之覆晶封装制程,其中形成该些锥状凸块之方式包括打线的方式。14.如申请专利范围第11项所述之覆晶封装制程,其中形成该乾式底胶层之后,更包括一半固化制程。15.如申请专利范围第11项所述之覆晶封装制程,其中在该晶片配置于该承载器之后,更包括一固化制程。图示简单说明:第1A~1D图依序绘示习知一种覆晶封装制程的剖面流程图。第2A~2D图依序绘示本发明第一实施例之一种覆晶封装制程的剖面流程图。第3A~3C图依序绘示本发明第二实施例之一种覆晶封装制程的剖面流程图。