| 主权项 |
1.一种液晶显示装置,其具有被透明之第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线、共用电极、及像素电极,其特征为:前述共用电极配线在前述像素区域包含:延伸于前述闸极配线延伸方向之第一共用电极配线,与延伸于前述汲极配线延伸方向之第二共用电极配线,该第一共用电极配线与该第二共用电极配线以第一绝缘膜隔开,该第一共用电极配线与该第二共用电极配线以设于第一绝缘膜上之开口部连接,该开口部上形成有第二绝缘膜。2.如申请专利范围第1项之液晶显示装置,其中前述第一共用电极配线与第二共用电极配线在前述像素区域,与前述共用电极之间至少具有前述第二绝缘膜,且前述共用电极于前述汲极配线上至少包含经由前述第二绝缘膜比前述汲极配线更宽配置的部分。3.一种液晶显示装置,其具有被透明之第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线及像素电极,其特征为:前述像素区域内具有第一岛状电极,覆盖第一岛状电极之第一绝缘膜上具有开口部,具有延伸于前述汲极配线延伸方向之共用电极配线,该第一岛状电极与该共用电极配线以前述开口部连接,该第一岛状电极构成下部电极,连接于前述薄膜电晶体之源极而形成于前述第一绝缘膜上之第二岛状电极构成上部电极,并构成保持电容。4.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中于前述第一基板上具有覆盖于前述汲极配线上之绝缘膜上所构成之共用电极,该共用电极在邻接之像素间连接成矩阵状而构成,且该共用电极于覆盖于前述汲极配线上之绝缘膜上包含比前述汲极配线更宽配置的部分。5.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中前述保持电容之绝缘膜系覆盖前述薄膜电晶体之闸极配线的无机绝缘膜。6.如申请专利范围第3项之液晶显示装置,其中前述第一岛状电极以前述薄膜电晶体之半导体层构成,前述保持电容之绝缘膜至少包含前述薄膜电晶体之闸极绝缘膜。7.一种液晶显示装置,其具有被第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线、共用电极、及像素电极,其特征为:前述共用电极配线具有延伸于前述汲极配线延伸方向之共用电极配线,具有连接于前述薄膜电晶体之源极之岛状金属像素电极,前述像素区域在邻接之汲极配线间具有被分割成6个部分以上的开口部,前述岛状金属像素电极与前述邻接之汲极配线中之一方之间至少具有1个开口部,前述共用电极配线与前述邻接之汲极配线中之另一方汲极配线之间至少具有2个开口部,前述岛状金属像素电极与前述共用电极配线之间至少具有3个开口部。8.一种液晶显示装置,其具有被第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线、共用电极、及像素电极,其特征为:前述共用电极配线具有延伸于前述汲极配线延伸方向之共用电极配线,具有连接于前述薄膜电晶体之源极之岛状金属像素电极,前述像素区域在邻接之汲极配线间具有被分割成8个部分以上的开口部,前述岛状金属像素电极与前述邻接之汲极配线中之一方之间至少具有3个开口部,前述共用电极配线与前述邻接之汲极配线中之另一方汲极配线之间至少具有2个开口部,前述岛状金属像素电极与前述共用电极配线之间至少具有3个开口部。9.一种液晶显示装置,其具有被第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线、透明共用电极、及透明像素电极,其特征为:前述透明共用电极与前述透明像素电极形成于前述汲极配线更上层之同层上,前述共用电极配线具有延伸于前述汲极配线延伸方向之共用电极配线,具有连接于前述薄膜电晶体之源极之金属像素电极,前述像素区域在邻接之汲极配线间具有被分割成6个部分以上的开口部,前述金属像素电极配置于最邻接于前述邻接之汲极配线中之一方汲极配线之透明像素电极的下部,前述共用电极配线邻接于前述邻接配置之汲极配线中之另一方汲极配线,且配置于并非在另一方汲极配线上之透明共用电极的下部,前述金属像素电极与前述共用电极配线之间至少具有1个以上之透明共用电极或透明像素电极。10.一种液晶显示装置,其具有被第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有共用电极配线、共用电极、及像素电极,其特征为:具有配置于被邻接之汲极配线夹着之区域的金属像素电极,前述共用电极具有延伸于前述汲极配线延伸方向之共用电极,并以对像素区域之分割数大致均等之间隔配置于前述邻接之汲极配线中之一方与该金属像素电极之间、该金属像素电极与该共用电极之间、该共用电极与前述邻接之汲极配线中之另一方汲极配线之间。11.如申请专利范围第7至10项中任一项之液晶显示装置,其中共用电极配线具有:延伸于前述闸极配线延伸方向之第一共用电极配线;及延伸于前述汲极配线延伸方向之第二共用电极配线;前述第一共用电极配线与第二共用电极配线于像素区域内彼此以绝缘膜之开口部连接。12.如申请专利范围第10项之液晶显示装置,其中对前述像素区域之分割数大致均等之间隔,于邻接之影像信号线间之区域之分割数为8构成之液晶显示装置中,以3+3+2之方式构成,于邻接之影像信号线间之区域之分割数为10构成之液晶显示装置中,以3+3+4之方式构成,于邻接之影像信号线间之区域之分割数为12构成之液晶显示装置中,以5+4+3之方式构成。13.一种液晶显示装置,其具有被透明之第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素至少具有保持电极配线及像素电极,其特征为:前述像素区域内具有第一岛状电极,覆盖第一岛状电极之第一绝缘膜上具有开口部,具有延伸于前述汲极配线延伸方向之保持电极配线,该第一岛状电极与该保持电极配线以前述开口部连接,该第一岛状电极构成下部电极,连接于前述薄膜电晶体之源极而形成于前述第一绝缘膜上之第二岛状电极构成上部电极,并构成保持电容。14.如申请专利范围第13项之液晶显示装置,其中具有延伸于前述闸极配线延伸方向之第二保持电容配线,并藉由形成于前述第一绝缘膜之通孔电性连接该第二保持电容配线与延伸于前述汲极配线延伸方向之保持电容配线。15.如申请专利范围第13项之液晶显示装置,其中具有延伸于前述闸极配线延伸方向之第二保持电容配线,该第二保持电容配线兼前述第一岛状电极。16.一种液晶显示装置,其具有被透明之第一基板与第二基板夹着之液晶层与滤色层,前述第一基板上具有:数条闸极配线;数条汲极配线,其系与前述数条闸极配线交叉成矩阵状;及薄膜电晶体,其系对应于前述闸极配线与汲极配线之各个交叉点而形成;以邻接之闸极配线与汲极配线所包围之区域构成像素区域,各个像素具有共用电极配线、透明共用电极及像素电极,其特征为:前述闸极配线于其上部具有绝缘膜,再者,其上部具有前述透明共用电极以大于前述闸极配线之宽度覆盖之区域,比该闸极配线更宽之透明电极配线发挥液晶显示装置之黑矩阵的功能。17.如申请专利范围第16项之液晶显示装置,其中比前述闸极配线更宽之透明电极配线亦覆盖薄膜电晶体之半导体层。18.如申请专利范围第16项之液晶显示装置,其中前述绝缘膜系丙烯酸等有机绝缘膜。19.如申请专利范围第1,2,4,7至10,12项中任一项之液晶显示装置,其中前述共用电极与像素电极系透明电极,两者形成于前述第一基板之配向膜下之最上层。20.如申请专利范围第1至10,12至18项中任一项之液晶显示装置,其中前述液晶显示装置系横电场方式之液晶显示装置。21.如申请专利范围第1至10,12至18项中任一项之液晶显示装置,其中系以多晶矽构成前述薄膜电晶体之半导体层。22.一种图像显示装置,其系用作液晶电视,该液晶电视之特征为使用申请专利范围第1至10,12至18项中任一项之液晶显示装置。23.一种图像显示装置,其系用作液晶监视器,该液晶监视器之特征为使用申请专利范围第1至10,12至18项中任一项之液晶显示装置。24.一种图像显示装置,其系用作一体型个人电脑,该一体型个人电脑之特征为使用申请专利范围第1至10,12至18项中任一项之液晶显示装置。图式简单说明:图1系本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之像素的重要部分平面图。图2系沿着图1之2-2'线之像素的重要部分剖面图。图3系沿着图1之3-3'线之像素的重要部分剖面图。图4系沿着图1之4-4'线之像素的重要部分剖面图。图5系说明本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之TFT基板至第一光蚀刻步骤为止之制造方法用的剖面图。图6系说明本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之TFT基板至第二光蚀刻步骤为止之制造方法用的剖面图。图7系说明本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之TFT基板至第三光蚀刻步骤为止之制造方法用的剖面图。图8系说明本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之TFT基板正第四光蚀刻步骤为止之制造方法用的剖面图。图9系说明本发明一种实施例之TFT液晶显示装置之TFT基板至第五光蚀刻步骤为止之制造方法用的剖面图。图10系LCD单元之整体平面图。图11系LCD单元内连接PCB基板与TAB之整体平面图。图12系LCD单元之TAB与汲极侧引出端子部附近的剖面图。图13系显示本发明一种实施例之TFT-LCD之概略等价电路的平面图。图14系显示本发明一种实施例之TFT-LCD之像素驱动波形的时间图。图15系显示本发明一种模组构造的说明图。图16系本发明一种实施例之偏光板与初期配向方向之关系的说明图。图17系本发明其他实施例之TFT液晶显示装置之像素的平面图。图18系沿着图17之18-18'的重要部分剖面图。图19系本发明其他实施例之TFT液晶显示装置之像素的平面图。图20系沿着图19之20-20'的重要部分剖面图。图21系显示本发明其他实施例之TFT液晶显示装置之像素的平面图。图22系沿着图21之22-22'的重要部分剖面图。图23系沿着图21之23-23'的重要部分剖面图。图24系本发明其他实施例之TFT液晶显示装置之像素的平面图。图25系沿着图24之25-25'的重要部分剖面图。图26系本发明其他实施例之TFT液晶显示装置之像素的平面图。图27系沿着图26之27-27'的重要部分剖面图。图28系沿着图26之28-28'的重要部分剖面图。图29系应用本发明之液晶TV之模式图。图30系应用本发明之液晶监视器之模式图。图31系应用本发明之一体型个人电脑之模式图。 |
