| 主权项 |
1.一种沉积槽的清洗装置,可应用于半导体制程中之一沉积槽,以将该沉积槽予以清洗,该清洗装置系包含有:一清洗管,该清洗管系接受外界置入清洗液体,以使清洗液体流入该沉积槽;一排放管,该排放管系将已清洗过该沉积槽之清洗液体排放至外界;一底座,该底座系可将连接该清洗管与该排放管,并且将该清洗装置固定于该沉积槽之底部。2.如申请专利范围第1项所述之一种沉积槽的清洗装置,其中所述之清洗管系包含有:一本体,该本体包含有复数个排流孔,该复数个排流孔系可将清洗液体由清洗管内流到该沉积槽;一衔接部,该衔接部系连接于该本体之下端,并且将该清洗管与该排放管在该底座中连结固定;一排放装置,该排放装置系设于该衔接部外侧,可控制清洗液体从该沉积槽经由该排放管排放置外界。3.如申请专利范围第1项所述之一种沉积槽的清洗装置,其中所述之底座与该沉积槽间更设有一控制环,该控制环系可将该沉积槽内之气体排送至外界。4.如申请专利范围第2项所述之一种沉积槽的清洗装置,其中所述之清洗管更包含一连接头,该连接头系置于该清洗管之上端,以方便连接外部藉以传送气体之管路。5.如申请专利范围第2项所述之一种沉积槽的清洗装置,其中所述之衔接部可为一衔接环。6.如申请专利范围第2项所述之一种沉积槽的清洗装置,其中所述之排放装置可为一排放环。7.一种沉积槽的清洗方法,可应用于半导体制程中之一沉积槽之清洗,其系利用一清洗装置包含一清洗管、一排放管与一底座来使用,该清洗方法之步骤如下:(a)取出沉积槽中之加热器;(b)将该清洗装置放入该沉积槽内部;(c)藉由该清洗装置倒入清洗液体;(d)排出清洗液体;(e)取出该清洗装置;(f)以清洁物擦拭该沉积槽;(g)灌入清洗气体清洗该沉积槽;(h)取出清洗装置并装回加热器。8.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述之清洗方法之步骤可重复多次。9.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(c)步骤中之清洗液体可使用不同之清洗液体。10.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(c)步骤中藉由该清洗装置倒入清洗液体,其中可将该清洗液体浸泡于该沉积槽内一段时间。11.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(c)步骤中之清洗液体为过氧化氢(H2O2)。12.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(c)步骤中之清洗液体为去离子水。13.如申请专利范围第12项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述之清洗液体为去离子水时,可同时加入氩气于该去离子水中,并且使去离子水因氩气之加入而产生气泡。14.如申请专利范围第13项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述加入氩气于该去离子水中并产生气泡,系利用一空气调节阀将已被压缩之氩气送入该去离子水中。15.如申请专利范围第13项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述之氩气亦可以其他之惰性气体代替。16.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(f)步骤中之清洁物为一无尘布。17.如申请专利范围第7项所述之一种沉积槽的清洗方法,其中所述(g)步骤中之清洗气体为氮气。图式简单说明:图一 习用之沉积槽简单示意图。图二 为本发明之结构图。图三 为本发明之实施例之剖面图。图四 为本发明应用于一沉积槽中之微粒平均値与微粒超出控制値之偏移比之趋势图。 |
