| 主权项 |
1.一种供金属CMP用之抛光淤浆,其包含:水溶液,其含有氧化铝之悬浮液;氧化剂,其包含175至225克硝酸铁水合物;水,以提供4.5升淤浆;及70重量光之硝酸,其量可提供淤浆之pH値为1.0至1.5,其中该氧化铝水溶液包含6-12重量%氧化铝之悬浮液。2.如申请专利范围第1项之抛光淤浆,其中该氧化铝之水溶液包含9重量%氧化铝之分散液。3.如申请专利范围第2项之抛光淤浆,其中该氧化铝之水溶液为375毫升。4.如申请专利范围第1项之抛光淤浆,其中系提供200克铁九水合物。5.一种用于钨之抛光淤浆,其包含:375毫升经安定化之氧化铝淤浆,具有9重量%氧化铝;200克铁九水合物;足量之去离子水,以稀释至4.5升;及25毫升70重量%之硝酸。6.一种对矽石为基料之介电层具选择性之抛光钨之方法,其包括以下步骤:在能够旋转之抛光垫上提供半导体晶片,其具有一层钨覆盖在一层砂石为基料之电介质上;分配包含硝酸铁、氧化铝分散液及水且以硝酸酸化至pH値1.0至1.5之淤浆,以接触钨与抛光垫间之界面;及至pH値1.0至1.5之淤浆,以接触钨与抛光垫间之界面;及抛光该晶圆,直到该钨层变成与该矽石为基料之电介质共平面为止,其中该淤浆含有6-12重量%氧化铝。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该淤浆系在每分钟100-125毫升之速率下分配。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该氧化铝在375毫升该分散液中占9重量%。 |
