| 主权项 |
1.一种双倍资料率终端电阻电源电路,包含: 一参考电压电路,系用以产出一参考电压; 一比较电路,具有至少二个输入端,其中一输入端 耦接至该参考电压电路,另一输入端耦合至一双倍 资料率终端电阻之输入电压源,该比较电路在比较 该二输入端之电压后产生一输出信号;及 一电子开关,其一端耦接一负载,该电子开关之另 一端用以接收该输出信号,并将该电子开关之另一 端加以接地,再藉由该比较电路所产生之输出信号 加以触发成导通或关闭状态,俾使该负载在该输入 电压源过高时用以泄放电流以降压。2.如申请专 利范围第1项之电路,其中该参考电压电路包含一 齐纳二极体及至少一电阻或一可调式分流调整器 及至少一电阻。3.如申请专利范围第1项之电路,其 中该参考电压电路之电压为1.29V。4.如申请专利范 围第1项之电路,其中该输入电压源之额定电压为1. 25V。5.如申请专利范围第1项之电路,其中该比较器 为一基本电压比较器或一磁带电压比较器。6.如 申请专利范围第1项之电路,其中该负载为一阻尼 型负载。7.如申请专利范围第6项之电路,其中该阻 尼型负载为一电感或电感及电阻之组合。8.如申 请专利范围第6项之电路,其中该阻尼型负载为一 电容或电容及电阻之组合。9.如申请专利范围第1 项之电路,其中该负载为一电阻。10.如申请专利范 围第1项之电路,其中该电子开关为电晶体或电驿 。11.如申请专利范围第10项之电路,其中该电晶体 为双极接面电晶体,场效电晶体或金氧半场效电晶 体。12.如申请专利范围第1项之电路,其中该电子 开关之用以接收该输出信号一端为电晶体之闸极 。13.如申请专利范围第1项之电路,其中该负载之 另一端耦接至该输入电压源。图式简单说明: 图1所示为应用本创作之双倍资料率终端电阻电源 电路之电路图; 图2a所示为使用线性电压调整器之DDR终端电阻电 源电压测试结果; 图2b所示为本创作电路之DDR终端电阻电源电压测 试结果。 |
