| 主权项 |
1.一种处理一基材的方法,该方法至少包含: 形成一钝态层于一基材表面上; 在一电解液中研磨该基材; 施加一阳极偏压至该基材表面;及 将物质从该基材表面的至少一部分上去除掉。2. 如申请专利范围第1项所述之方法,其中该钝态层 为一电流抑制层,其是藉由将一基材表面曝露于一 腐蚀抑制剂,一均化剂,或它们的组合之中而形成 的。3.如申请专利范围第2项所述之方法,其中该腐 蚀抑制剂包含一有机化合物,其含有一唑基,其是 由包含苯并三唑,氢硫基苯并三唑,或5-甲基-1-苯并 三唑,及它们的组合的组群中选取的。4.如申请专 利范围第2项所述之方法,其中该均化剂是从包含 了聚乙二醇及聚乙二醇衍生物及它们的组合的组 群中选取的。5.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中该钝态层系藉由在一含有一黏性形成剂的电 解液中沉积该基材而形成的。6.如申请专利范围 第5项所述之方法,其中该黏性形成剂包含一磷酸 盐的化合物或一亚磷酸盐基的化合物。7.如申请 专利范围第6项所述之方法,其中该黏性形成剂包 含磷酸,磷酸铜,或磷酸钾。8.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该钝态层系藉由沉积一介电质 或有机物质于该基材表面上而形成的。9.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该钝态层包含氧 化矽。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中 该电解质是从包含硫酸基的电解质,磷酸基的电解 质,硫酸基的电解质的衍生物,磷酸基的电解质的 衍生物,及它们的组合的组群中选取的。11.如申请 专利范围第10项所述之方法,其中该电解质更包含 研磨颗粒。12.如申请专利范围第1项所述之方法, 其中施加该偏压至该基材表面包含施加一介于0.1 伏至15伏的电压。13.如申请专利范围第1项所述之 方法,其中研磨物在研磨期间施加一约2psi或更小 的压力于该基材上。14.如申请专利范围第2项所述 之方法,其中该腐蚀抑制剂,均化剂,或它们的组合 包含介于该电解质的0.005vol%至10vol%的量。15.一种 处理一基材的方法,该方法至少包含: 将该基材置于一电解液中与设置在该电解液中的 研磨物相邻; 将该基材曝露于一腐蚀抑制剂,均化剂,黏性形成 剂,或它们的组合中,用以形成一电流抑制层于该 基材表面上; 在该电解液中用该研磨物研磨该基材,用以去除掉 该电流抑制层的至少一部分; 施加一偏压于设置在该电解液中的一阳极与一阴 极之间;及 藉由阳极溶解而将物质从该基材表面的至少一部 分上去除掉。16.如申请专利范围第15项所述之方 法,其中施加该偏压包含可控制地施加一随时间变 化的阳极电位至该基材表面。17.如申请专利范围 第15项所述之方法,其中施加于该阳极与该阴极之 间的偏压系介于0.1伏至15伏之间。18.如申请专利 范围第15项所述之方法,其中该电解质是从包含硫 酸基的电解质,磷酸基的电解质,硫酸基的电解质 的衍生物,磷酸基的电解质的衍生物,及它们的组 合的组群中选取的。19.如申请专利范围第15项所 述之方法,其中该腐蚀抑制剂包含一有机化合物, 其含有一唑基,其是由包含苯并三唑,氢硫基苯并 三唑,或5-甲基-1-苯并三唑,及它们的组合的组群中 选取的。20.如申请专利范围第15项所述之方法,其 中该均化剂是从包含了聚乙二醇及聚乙二醇衍生 物及它们的组合的组群中选取的。21.如申请专利 范围第15项所述之方法,其中该黏性形成剂包含一 磷酸盐的化合物或一亚磷酸盐基的化合物。22.如 申请专利范围第21项所述之方法,其中该黏性形成 剂包含磷酸,磷酸铜,或磷酸钾。23.如申请专利范 围第15项所述之方法,其中该腐蚀抑制剂,均化剂, 或它们的组合包含介于该电解质的0.005vol%至10vol% 的量。24.如申请专利范围第15项所述之方法,其中 该电解质更包含研磨颗粒。25.一种处理基材的设 备,该设备至少包含: 一部分容器,其界定一处理区且具有一流体入口及 一流体出口; 一阴极,其被设置在该部分容器内; 一研磨物,其被设置于该部分容器内; 一基材载具,其被可移动地设置在该研磨物之上, 该基材载具具有一基材安装表面; 一电源,其经由该部分容器耦合至该基材或耦合至 该研磨物;及 一电脑基础的控制器,其被建构来让该设备将一基 材放置在一电解液中用以形成一钝态层于一基材 表面上,在该电解液中用该研磨物研磨该基材,及 施加一阳极电压至该基材或研磨物用以将物质从 该基材表面的至少一部分上去除掉。26.如申请专 利范围第25项所述之设备,其中该阴极包含一被垂 直地设置在该部分容器内的环。27.如申请专利范 围第25项所述之设备,其中该阴极包含一被水平地 设置在该部分容器内的环。28.如申请专利范围第 25项所述之设备,其中该研磨物为一研磨垫,一线性 的研磨物质卷(web)或带,或一或多个研磨物滚子。 29.如申请专利范围第28项所述之设备,其中该一或 多个研磨物滚子系以成串的方式被设置于该电解 液中用以研磨被水平地或垂直地放置的基材。30. 如申请专利范围第28项所述之设备,其中该研磨物 是导电的。31.如申请专利范围第30项所述之设备, 其中该导电的研磨物包含埋设或形成于聚胺基甲 酸乙酯内的导电元件,其中导电元件彼此被电气地 连接并在一基材与该研磨物接触时会与该基材表 面相接触。32.如申请专利范围第25项所述之设备, 其更包含多个设置在该基材接收表面的周边周围 的电子接点。33.如申请专利范围第25项所述之设 备,其中该电脑基础的控制器被建构来施加一随时 间改变的阳极电位至该基材表面。34.如申请专利 范围第25项所述之设备,其中该电脑基础的控制器 被建构来施加一介于0.1伏至15伏之间的电压至该 基材表面或该研磨物。35.一种电化学沉积系统,该 系统至少包含: 一主机架架架,其具有一主机架架架晶圆输送机械 臂; 一装载站,其被设置成与该主机架架架相连接; 一或多个电化学处理槽,其被设置成与该主机架架 架相连接; 一或多个研磨平台,其被设置成与该主机架架架相 连接; 一电解液供应源,其流体地连接至该一或多个电化 学处理槽;及 一或多个研磨流体供应源,其连接至该一或多个研 磨平台。36.如申请专利范围第35项所述之系统,其 更包含一系统控制器用来控制一电化学沉积处理, 一电化学去除处理,一研磨处理,或它们的组合。37 .如申请专利范围第36项所述之系统,其更包含一旋 转-清洗-乾燥(SRD)站,其被设置在该装载站与该主 机架之间。38.如申请专利范围第36项所述之系统, 其更包含一热回火室,其被设置成与该装载站相连 接。39.如申请专利范围第35项所述之系统,其中该 电化学处理槽包含: 一部分容器,其界定一处理区且具有一流体入口及 一流体出口; 一阴极,其被设置在该部分容器内; 一研磨物,其被设置于该部分容器内; 一基材载具,其被可移动地设置在该研磨物之上, 该基材载具具有一基材安装表面; 一电源,其经由该部分容器耦合至该基材或耦合至 该研磨物;及 一电脑基础的控制器,其被建构来让该设备将一基 材放置在一电解液中用以形成一钝态层于一基材 表面上,在该电解液中用该研磨物研磨该基材,及 施加一阳极电压至该基材或研磨物用以将物质从 该基材表面的至少一部分上去除掉。图式简单说 明: 第1图为装上了本发明的处理设备的实施例之一处 理系统的平面图; 第2图为一电镀系统的一实施例的示意顶视图; 第3图为一电镀系统的另一实施例的示意顶视图; 第4图为本发明的一处理设备的一实施例的剖面图 ,其显示一基材被设置在一可渗透的圆盘上; 第5图为一载具头组件的一实施例的部分剖面图; 第6A图为多个基材夹的部分立体图; 第6B图为沿着第6A图的线6B-6B所取的基材夹剖面图; 第7A至7D图显示一基材被固定于载具头组件上的情 形; 第8图为一载具头组件的另一实施例的部分视图; 第9图为一载具头组件的另一实施例的部分视图; 第10A-10B图为一载具头组件的诸实施例的部分视图 ; 第11A-11D图为用来沉积及平坦化一基材上的金属层 的设备的诸实施例的示意剖面图; 第12图为一流程图,其显示依据本发明的一实施例 的处理步骤;及 第13A-13F图为依据本发明的一平坦化一基材表面的 实施例来研磨一基材的示意图。 |
