TRANSISTOR EQUIPPED WITH A LOW-IMPEDANCE BASE TERMINAL

摘要

Bei einem Transistor mit Emitter, Kollektor und durchgehender, in intrinsische und extrinsische Basis aufgeteilter durchgehender Basisschicht wird vorgeschlagen, den Bereich der extrinsischen Basis (EB) durch höhere Dotierung niederohmig zu gestalten. Dies erfolgt durch Ausdiffusion von Ladungsträgern aus einer Dotierstoffquellschicht (DQS), die im Bereich der extrinsischen Basis unterhalb der epitaktisch aufgewachsenen Basisschicht angeordnet wird. Als Dotierstoffquelle bzw. als Dotierstoffquellschicht wird insbesondere eine Polysiliziumschicht verwendet, die auf den Bereich der extrinsischen Basis beschränkt strukturiert und vorher mittels Implantation hochdotiert wird.