发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 目的旨在提高电容元件的面积效率。将具有和存储单元电容及存储节点相同的结构的导电层(6a1~6an)相互分离地配置并且共同与第3导电层(14a)以导电方式连接。在这些第1导电层上通过电容绝缘膜(17a)形成与存储单元电容的单元板相当的第2导电层(9a)。第1导电层与第2导电层相对的表面面积增大,在有限的面积内形成多个并联的单位电容元件,从而可以实现面积效率优异的电容元件。 | ||
申请公布号 | CN1153297C | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
申请号 | CN97111194.4 | 申请日期 | 1997.05.16 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 飞田洋一 |
分类号 | H01L27/108;H01L27/04 | 主分类号 | H01L27/108 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;叶恺东 |
主权项 | 1.一种包括具有一边的电极节点和另一边的电极节点的电容元件的半导体装置,其特征在于:上述电容元件具有在与上述一边的电极节点以导电方式连接的第1导电型的半导体衬底区域表面相互隔开配置的多个第1导电型的第1杂质区域;分别与上述第1杂质区域以导电方式连接的在半导体衬底区域表面上形成并且相互以物理方式分离地配置的多个第1导电层;和通过上述多个第1导电层和绝缘膜相对地配置并且与另一边的电极节点以导电方式连接的第2导电层。 | ||
地址 | 日本东京都 |