半导体激光器

摘要

本发明的目的在于提供一种阈值电流和效率的温度依存性小的、并能以高的输出功率振荡的半导体激光器。在现有的GaInAs/GaInAsP系列半导体激光器中，保持温度越低，跨导效率越高，阈值电流越大，此外，随着温度的上升，损耗系数增大，故外部量子效率下降，输出降低。因此，为了能用于更宽的技术领域，希望有一种阈值电流和效率的温度依存性小的、并以高的输出功率振荡的半导体激光器。因此，本发明的特征在于：在使用了GaInAs/GaInAsP材料的压缩应变量子阱半导体激光器中，在p型导波层3和n型导波层9中设置了具有比该导波层的带隙Egb大的带隙Egc、且由比该导波层的折射率小的材料构成的载流子阻塞层11、14。

主权项

1.一种半导体激光器，包括：压缩应变量子阱半导体激光器，它包括GaInAs/GaInAsP，并包括p型导波层和n型导波层，所述p型导波层和n型导波层各包含多个波导层，每个波导层具有不同的带隙；设置在所述p型波导层中的第一p型载流子阻塞层，其中所述第一载流子阻塞层的带隙的值大于所述p型波导层的所述多个波导层的所述不同带隙的最小值；和设置在所述n型波导层中的第二n型载流子阻塞层，其中所述第二载流子阻塞层的带隙的值大于所述n型波导层的所述多个波导层的所述不同带隙的最小值，这些载流子阻塞层是由折射率比导波层的折射率小的材料构成， 其中，每个载流子阻塞层的带隙与相应的导波层的不同带隙的最小值间的差是85meV～190meV，量子阱层的第一基态的带隙与每个载流子阻塞层的带隙间的能量差在300meV～500meV的范围内，以及载流子阻塞层的厚度是5～10nm。