碳纳米管阵列及其生长方法

摘要

本发明提供一种在金属基底上生长碳纳米管阵列的方法，其包括以下步骤：提供一金属基底；在金属基底表面上沉积一层硅过渡层；将催化剂沉积于该硅层表面；通入碳源气反应，长出碳纳米管阵列。通过本发明的方法可实现在金属基底上生长碳纳米管阵列，而且对金属基底材料基本无选择性。本发明还提供一种生长在金属基底上的碳纳米管阵列。

主权项

1.一种碳纳米管阵列，其包括一金属基底及形成于基底上的碳纳米管阵列，其特征在于该金属基底和碳纳米管阵列之间还有一沉积于金属基底上的硅层。