| 发明名称 | 源极/漏极元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种源极/漏极元件的制造方法，步骤为：提供一基底，基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的基底表面以形成一第一掺杂区；去除第三绝缘间隙壁；以遮蔽层及第二绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第二掺杂区而作为源极/漏极区；去除第二绝缘间隙壁；以及以遮蔽层及第一绝缘间隙壁为罩幕，离子布植栅极结构两侧的基底表面以形成一第三掺杂区而作为一接面击穿防止区；本发明通过多层间隙壁作为离子布植的罩幕，在存储装置的周边电路区的积集度增加而线距缩小的情形下，仍能制作出轻掺杂区及接面击穿防止区，进而维持源极/漏极元件的特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1503334A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
| 申请号 | CN02148888.6 | 申请日期 | 2002.11.22 |
| 申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 毛惠民;陈升聪;陈逸男;姜伯青;萧智元 |
| 分类号 | H01L21/335;H01L21/8232;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/335 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 1.一种源极/漏极元件的制造方法，其特征是：包括下列步骤：提供一基底，上述基底表面形成有一栅极结构及覆于其上的遮蔽层；在上述栅极结构侧壁依序形成一第一、一第二及一第三绝缘间隙壁；以上述遮蔽层及上述第三绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第一掺杂区；去除上述第三绝缘间隙壁；以上述遮蔽层及上述第二绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第二掺杂区而作为源极/漏极区；去除上述第二绝缘间隙壁；以及以上述遮蔽层及上述第一绝缘间隙壁为罩幕，离子布植上述栅极结构两侧的上述基底表面以形成一第三掺杂区而作为一接面击穿防止区。 | ||
| 地址 | 台湾省桃园县 | ||