发明名称 原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法
摘要 本发明的目的是提供监测多重曝光过程中的实效性的曝光量的原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法。该原版具备第1掩模部和第2掩模部。第1掩模部,具有:配置在设置在第1遮光部(16)上的第1窗口部(11a)内的,光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案(6),和配置在设置在第1遮光部(16)上的第2窗口部(11b)内的,光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案(7);以及,第2掩模部,具有:在与上述第1掩模部(14a)对准时,配置在设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上的第3窗口部(12a)内的,使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案(8),和设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上且配置在第4窗口部(12b)内的,光透过率朝向反方向地增加的第4曝光监测图案(9)。
申请公布号 CN1503055A 申请公布日期 2004.06.09
申请号 CN200310115500.1 申请日期 2003.11.26
申请人 株式会社东芝 发明人 小峰信洋
分类号 G03F1/08;G03F7/20;G03F9/00;H01L21/027 主分类号 G03F1/08
代理机构 北京市中咨律师事务所 代理人 段承恩;陈海红
主权项 1.一种原版,其特征在于:具备:第1掩模部,具有:第1遮光部、配置在设置在上述第1遮光部上的第1窗口部内的,光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案,和配置在设置在上述第1遮光部上的第2窗口部内的,光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案,第2掩模部,具有:第2遮光部,在与上述第1掩模部对准时,配置在设置在与上述第1遮光部对应的位置的第2遮光部上的第3窗口部内的,使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案,以及,设置在与上述第1遮光部对应的位置的上述第2遮光部上且配置在第4窗口部内的,使光透过率朝向上述反方向地增加的第4曝光监测图案。
地址 日本东京都