发明名称 |
纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术 |
摘要 |
本发明提供了一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术,该技术首先在铝箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜,将其调整到纳米尺度,利用材料在进入纳米尺度后所表现出来的纳米介电效应,获得高介电常数阀金属介质膜,然后通过该介质膜与铝氧化膜复合,获得高介电常数的铝电解电容器用介质膜。本发明所使用的工艺步骤可直接组合在目前工业电化学扩面腐蚀生产线或化成线中。 |
申请公布号 |
CN1502719A |
申请公布日期 |
2004.06.09 |
申请号 |
CN02134171.0 |
申请日期 |
2002.11.27 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
杨邦朝;冯哲圣;陈金菊 |
分类号 |
C23C18/00;H01G9/045;H01G9/055;H01G9/07 |
主分类号 |
C23C18/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种纳米复合高介电常数铝氧化膜生长技术,其特征是它包括以下步骤:步骤1 在铝腐蚀箔表面预化学沉积一层高介电常数阀金属介质膜;步骤2通过稀土元素的晶粒细化作用调整高介电常数阀金属介质膜的几何尺度,使其开始表现出纳米介电效应;步骤3 通过高温处理将该纳米高介电常数阀金属介质膜与铝氧化膜复合。 |
地址 |
610054四川省成都市建设北路二段四号 |