发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 提供一种半导体器件的制造方法,可以抑制因硅化物的形成而使漏电流增加。将抑制硅化物反应的杂质(抑制杂质)、例如锗从其上面导入源漏区16、36。接着,在源漏区16、36中,使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物,在源漏区16、36形成硅化物膜51。通过这样使比抑制杂质分布的区域50还浅的区域变成硅化物,可以抑制硅化物反应向变成硅化物的区域的下方进行,可以降低源漏区16、36和阱区之间的接合漏泄。 | ||
申请公布号 | CN1503335A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
申请号 | CN03132886.5 | 申请日期 | 2003.07.25 |
申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 尾田秀一;佐山弘和;太田和伸;杉原浩平 |
分类号 | H01L21/336;H01L21/8234 | 主分类号 | H01L21/336 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;叶恺东 |
主权项 | 1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,包括:(a)准备在其上面具有第1导电型的第1杂质区和第2导电型的第2杂质区,且所述第2杂质区设在所述第1杂质区的上面的半导体衬底的工序;(b)将抑制硅化物反应的杂质从其上面导入所述第2杂质区的工序;(c)在所述工序(b)之后,在所述第2杂质区中,从其上面开始,使比用所述工序(b)导入的所述杂质分布的区域的下限还浅的区域变成硅化物的工序。 | ||
地址 | 日本东京都 |