一种用于双金属氧化物－氮化物－氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极解码器

摘要

本发明是一种用于一双MONOS闪存阵列的控制栅极线的解码器。连接到存储器的每个控制栅极线的解码器单元被控制以提供选择、越控及未选择电压，以执行读取、编程和清除操作。解码器单元被划分成奇数及偶数寻址，其中个别的电压可施加于邻近的存储器单元的控制栅极。越控电压(其防止一已选择单元操作免于受到相邻存储器单元储存区影响)可施加于紧邻已选择单元的控制栅极上，未选择电压可施加超出紧邻单元上，以进一步防止远端单元中的扰乱情形。

主权项

1.一种使用控制栅极越控选择在一双MONOS闪存中选择一储存区以用于读取及编程的方法，包括：a)选择一第一存储器单元，其包含一第一及一第二储存区；b)选择在该第一存储器单元中的该第一储存区；c)选择该第一储存区上的一第一控制栅极；d)施加一“选择”电压到该第一控制栅极上；e)在一第二存储器单元中选择一未选择储存区上的一第二控制栅极，该第二存储器单元紧邻该第一储存区；f)施加一“越控”电压到该第二控制栅极上；g)在一第三存储器单元中选择一第三控制栅极，该第三存储器单元在一第二未选择单元上及并且不紧邻该第一储存区；及h)施加一“未选择”电压到该第三控制栅极上。