| 发明名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的课题是，提供一种作为电容器的电极材料具有铂或铱、适合采用高温刻蚀技术制造的半导体器件及其制造方法。作为对以铂或铱为主成分的电容器电极6构制图形时用的掩模膜8的主成分，采用钌或锇。与采用氧化硅膜作为铂或铱的刻蚀掩模膜的情形相比，钌膜或铱膜的膜厚为其十分之一左右即可，铂上的构图掩模的高宽比为1～2左右的低值。其结果是难以发生掩模坍塌等问题。 | ||
| 申请公布号 | CN1503329A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
| 申请号 | CN200310118370.7 | 申请日期 | 2003.11.25 |
| 申请人 | 株式会社瑞萨科技 | 发明人 | 奥平智仁 |
| 分类号 | H01L21/28;H01L21/8242;H01L21/82;H01L27/108 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.(实施例1～3，图1～24，用Ru或Os作为Pt或Ir电极形成用的掩模，除掉它们的方法)一种半导体器件制造方法，其特征在于：包括：(a)在基底层<1～3>上形成以铂或铱为主成分的电容器电极用金属膜<6>的工序；(b)在上述电容器电极用金属膜上形成以钌或锇为主成分的第1掩模膜<8>的工序；(c)有选择地对上述第1掩模膜进行开口的工序；(d)加热上述电容器电极用金属膜，通过将露出于上述第1掩模膜的开口部的上述电容器电极用金属膜暴露在规定的气体气氛<例如Cl2气体气氛>中，使其挥发，有选择地对上述电容器电极用金属膜进行刻蚀的工序；以及(e)除掉上述第1掩模膜的工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||