发明名称 | 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备 | ||
摘要 | 本发明公开了一种具有很好的均匀性的薄膜晶体管,以及使用该薄膜晶体管的有机电致发光设备。该薄膜晶体管的特征在于多晶硅的主晶界不与漏极区和有源通道区间的边界相交,从而由于很好的电流特性,可提供具有很好的均匀性的薄膜晶体管,这样该薄膜晶体管能够在具有很好性能的有机电致发光设备中使用。 | ||
申请公布号 | CN1503376A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
申请号 | CN03141122.3 | 申请日期 | 2003.06.09 |
申请人 | 三星SDI株式会社 | 发明人 | 朴志容;朴惠香 |
分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李瑞海;王景刚 |
主权项 | 1.一种薄膜晶体管,其中,存在于多晶硅中的主晶界不与该薄膜晶体管的漏极区和有源通道区间的边界相交。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |