发明名称 | 含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法,是利用二极管上是否有介电层来定义逻辑”0”或逻辑”1”,且可堆叠多层二极管层,而形成高密度的三度空间数组。 | ||
申请公布号 | CN1503365A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
申请号 | CN02152773.3 | 申请日期 | 2002.11.27 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖昇志;龙翔澜;陈逸舟 |
分类号 | H01L27/102;H01L21/8229 | 主分类号 | H01L27/102 |
代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 楼仙英;陈红 |
主权项 | 1.一种含有二极管的掩模式只读存储器,其特征在于:一半导体基底;一绝缘层,位于该半导体基底上;在第一方向设置的多条第一导线,位于该绝缘层上;多个垂直式二极管,位于该第一导线上;多个介电层,位于部分二极管上,二极管上有介电层的定义为逻辑”0”,而二极管上没有介电层者定义为逻辑”1”;以及依第二方向设置的多条第二导线,位于该介电层和该二极管上,该第一和第二方向为垂直。 | ||
地址 | 台湾省新竹 |