| 发明名称 | 具有独立制作的垂直掺杂分布的栅极结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体晶体管的栅极结构。在一示例性实施例中，栅极结构包括以第一掺杂剂浓度掺杂的下部多晶硅区、以及以第二浓度掺杂的上部多晶硅区，该第二浓度不同于第一浓度。导电阻挡层设置在下部和上部多晶硅区之间，其中，导电阻挡层防止了下部和上部多晶硅区之间的杂质扩散。 | ||
| 申请公布号 | CN1503374A | 申请公布日期 | 2004.06.09 |
| 申请号 | CN200310116431.6 | 申请日期 | 2003.11.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 奥默·H·多库马西;奥利格·格鲁申科夫;杰克·A·曼德尔曼;卡尔·拉登斯;布鲁斯·B·多丽丝 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 封新琴;巫肖南 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体晶体管的栅极结构，包括：以第一浓度掺杂的下部多晶硅区；以第二浓度掺杂的上部多晶硅区，所述第二浓度不同于所述第一浓度；以及导电阻挡层，其设置在所述下部和所述上部多晶硅区之间；其中，所述导电阻挡层防止了所述下部和所述上部多晶硅区之间的杂质扩散。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||