Transistorarray und damit hergestellte Halbleiterspeicheranordnung

摘要

Ein erfindungsgemäßes Transistorarray besteht aus vertikalen FET-Transistoren, die jeweils mit einem Speicherkondensator eines Speicherzellenarrays verbunden sind. Wortleitungen (5) bildende Gateelektrodenstreifen der Transistoren liegen zu beiden Seiten von zueinander parallel laufenden aktiven Stegen (13) und sind durch Wortleitungs- bzw. CS-Kontakte (15) mit einer überlagernden Metallebene (12) verbunden. Um diese Wortleitungskontakte (15) gegenüber den anderen Elementen des Transistorarrays und des Zellenfeldes zu isolieren, liegen die Wortleitungskontakte (15) in in die Stege (13) eingebrachten tiefen Gräben (11). DOLLAR A Bei einer alternativen Ausführungsform liegen die die Wortleitung mit der Metallebene verbindenden Wortleitungskontakte in einer von der Wanne, in der das Speicherzellenarray liegt, separaten isolierten Wanne, und die die Wortleitungskontakte aufweisenden aktiven Stege, die in diese separate Wanne geführt sind, sind von dem umgebenden Gebiet durch an der Schnittstelle liegende isolierende tiefe Gräben (11) isoliert.