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发明名称
SOI-MOSFET und Verfahren zu dessen Herstellung
摘要
申请公布号
DE69818183(T2)
申请公布日期
2004.06.03
申请号
DE19986018183T
申请日期
1998.06.29
申请人
SHARP K.K., OSAKA
发明人
ADAN, ALBERTO O.
分类号
H01L21/265;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786;H01L29/10
主分类号
H01L21/265
代理机构
代理人
主权项
地址
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