发明名称 Verfahren zur Herstellung einer CMOS-Halbleitereinrichtung
摘要
申请公布号 DE4136406(B4) 申请公布日期 2004.06.03
申请号 DE19914136406 申请日期 1991.11.05
申请人 MITSUBISHI DENKI K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 SHIMIZU, MASAHIRO;MITSUI, KATSUYOSHI;YAMA, YOMIYUKI;YASUNAGA, MASATOSHI
分类号 H01L21/265;H01L21/336;H01L21/8238;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/336;H01L27/092;H01L21/823 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人
主权项
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