| 发明名称 |
Verfahren zur Behandlung eines Halbleitersubstrates |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69723566(T2) |
申请公布日期 |
2004.06.03 |
| 申请号 |
DE19976023566T |
申请日期 |
1997.12.17 |
| 申请人 |
TOKYO ELECTRON LTD., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
HISADA, MASAHIRO |
| 分类号 |
H01L21/311;(IPC1-7):H01L21/311;H01J37/32;C23C16/44 |
主分类号 |
H01L21/311 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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