| 发明名称 | 制造双镶嵌结构的方法和结构 | ||
| 摘要 | 一种制作双镶嵌结构的方法，包括：在包括至少一个导电区域的半导体基底上形成一牺牲材料层；对该牺牲材料层构图，以便在该导电区域上面形成至少一个柱；在半导体基底上面，环绕该至少一个柱形成一介电层；以及在金属间介电层中形成一导线开口，该至少一个柱的部分暴露在开口范围内。介电层包括一第一介电层和一第二介电层，第一介电层的厚度稍微小于或等于所述至少一个柱的厚度，第二介电层形成在第一介电层之上。本发明利用牺牲性柱并在导线开口和通孔之间的界面处提供了一种改进了的界限明确的边缘。还涉及用来形成双镶嵌结构的结构。 | ||
| 申请公布号 | CN1152413C | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN98115629.0 | 申请日期 | 1998.06.30 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | 马丁·古奇;德克·托本 |
| 分类号 | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种制作双镶嵌结构的方法，包括：a)在包括至少一个导电区域的半导体基底上形成一牺牲材料层；b)对该牺牲材料层构图，以便在该导电区域上面形成至少一个柱；c)在半导体基底上面，环绕该至少一个柱形成一介电层，该介电层包括一第一介电层和一第二介电层，第一介电层的厚度小于或等于所述至少一个柱的厚度，第二介电层形成在第一介电层之上；以及d)通过蚀刻第二介电层，在介电层中形成一导线开口，其中第一介电层作为蚀刻中止层，该至少一个柱的部分暴露在开口范围内。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||