发明名称 |
制造半导体器件的方法和用于清洗衬底的设备 |
摘要 |
从喷嘴33的端部向晶片表面上喷涂剥离剂,同时起动第一供给喷嘴33使从晶片的部分扫描至其外部。该操作提供这样一种情况,其中,通过由喷嘴供给的剥离剂的表面张力将残存小液滴38的界面从晶片的拉回到晶片的外部。其间,第二供给喷嘴36也以与第一供给喷嘴33扫描的相同速度扫描。从第二供给喷嘴36的孔中喷涂蒸汽IPA。这提供了在从第一供给喷嘴33向晶片表面上喷涂剥离剂之后立即向其表面上喷涂蒸汽IPA,并将晶片表面上残存的剥离剂用IPA有效地取代。 |
申请公布号 |
CN1501450A |
申请公布日期 |
2004.06.02 |
申请号 |
CN200310119805.X |
申请日期 |
2003.10.17 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
青木秀充;笠间佳子;铃木达也 |
分类号 |
H01L21/302;H01L21/304;B08B3/00 |
主分类号 |
H01L21/302 |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
吴立明;梁永 |
主权项 |
1.一种制造半导体器件的方法,包括:(a)在单个晶片处理设备中不采用超纯水漂洗而是采用一种清洗剂清洗半导体衬底的表面,所述清洗剂包含具有有机溶剂作为主要成分的化学溶液和所述溶液的蒸汽的情况之一。 |
地址 |
日本东京都 |