| 发明名称 | 硅锗双极型晶体管 | ||
| 摘要 | 提供一种在发射区和集电区之间基本没有位错缺陷的SiGe双极型晶体管和其制造方法。该SiGe双极型晶体管包括第一导电类型的集电区(52)；在所述集电区(52)的一部分上形成的SiGe基区(54)；和在所述SiGe基区(54)的一部分上形成的所述第一导电类型的发射区(56)，其中所述集电区(52)和所述基区(54)包括其中连续的碳。该SiGe基区(54)进一步用硼掺杂。 | ||
| 申请公布号 | CN1502124A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN01822375.3 | 申请日期 | 2001.11.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | J·O·徐;D·D·库尔鲍格;J·S·顿恩;D·格林伯格;D·哈拉梅;B·杰甘内森;R·A·约翰逊;L·兰泽罗蒂;K·T·舍恩伯格;R·W·沃斯里奇 |
| 分类号 | H01L21/331;H01L29/737 | 主分类号 | H01L21/331 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种制造SiGe双极型晶体管的方法，该SiGe双极型晶体管包括在集电区和SiGe基区中的碳，其方法包括下列步骤：(a)提供一种结构，其至少包括一双极型器件区，所述双极型器件区至少包括在半导体衬底内形成的第一导电类型的集电区；(b)在所述集电区上淀积SiGe基区，其中在所述淀积期间，碳穿过集电区和SiGe基区连续生长；和(c)在所述SiGe基区上面形成图形化的发射区。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||