功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及具有控制闩锁的杂质注入结构的功率半导体器件，提供能改善闩锁并使制造工艺简单化，可缩小芯片尺寸的功率半导体器件及其制造方法。依照在高浓度n⁺型半导体层14内的低浓度的p^-型阱19内，在设于前述阱19表面的高浓度n⁺型源结区25之间设置掺以高浓度杂质的p⁺型阴极接触区27的工艺；及在前述阴极接触区27与前述阱19之间，覆盖前述源结区25的下部作延伸，在前述阱19内设置掺以比前述阴极接触区27的杂质浓度低，比前述阱19的杂质浓度高的杂质的p型杂质扩散区24的工艺来制造功率半导体器件。

主权项

1.一种功率半导体器件，包括：掺以高浓度的第一导电类型杂质的半导体基片(12)；设于前述半导体基片(12)上的掺以高浓度的第二导电类型杂质的缓冲层(13)；经外延生长的设于前述缓冲层(13)上的低浓度的第二导电类型的半导体层(14)；在前述半导体层(14)上形成的栅氧化膜(15)；在前述栅氧化膜(15)上的栅多晶硅膜(16)；在前述栅氧化膜(15)之间的所述半导体层(14)的表面上设置的掺以低浓度的第一导电类型杂质的阱(19)；在前述阱(19)内形成的位于前述栅氧化膜(15)下方的掺以高浓度的第二导电类型杂质的源结区(25)；在前述阱(19)内形成的，在前述源结区(25)之间的掺以高浓度的第一导电类型杂质的阴极接触区(27)；在前述阱(19)内形成的，在前述源结区(25)以及前述阴极接触区(27)与前述阱(19)的底部之间的杂质扩散区(24)，该杂质扩散区的杂质浓度比阴极接触区(27)的杂质浓度低但比前述阱(19)的杂质浓度高。