多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线及制作方法

摘要

本发明涉及一种多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线，形成于一半导体组件中，该半导体组件包括有沿Y轴方向相邻的一第一单元与一第二单元，每一个单元中包括有：一第一栅极结构以及一第二栅极结构，定义形成于一半导体硅基底的表面上；一侧壁子，分别形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构的侧壁上；一源极区域，形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的半导体硅基底内；以及一开口。一漏极区域，形成于半导体硅基底内。一接触洞，形成于该第一单元以及该第二单元之间，以暴露该漏极区域的表面。一多晶硅自行对准接触插塞，形成于该接触洞内。一多晶硅共享源极线，形成于该开口内。

主权项

1.一种多晶硅自行对准接触插塞与多晶硅共享源极线，形成于一半导体组件中，其特征在于，该半导体组件包括有：一第一单元，其包括有：一第一栅极结构以及一第二栅极结构，定义形成于一半导体硅基底的表面上；一侧壁子，分别形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构的侧壁上；一源极区域，形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的半导体硅基底内；以及一开口，形成于于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间，以暴露该源极区域的表面；一第二单元，沿Y轴方向相邻于该第一单元，且包括有：一第一栅极结构以及一第二栅极结构，定义形成于该半导体硅基底的表面上；一侧壁子，分别形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构的侧壁上；一源极区域，形成于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间的半导体硅基底内；以及一开口，形成于于该第一栅极结构以及该第二栅极结构之间，以暴露该源极区域的表面；一漏极区域，形成于该第一单元的第二栅极结构以及该第二单元的第一栅极结构之间的半导体硅基底内；一接触洞，形成于该第一单元以及该第二单元之间，以暴露该漏极区域的表面；一多晶硅自行对准接触插塞，形成于该接触洞内；以及一多晶硅共享源极线，形成于该开口内。