半导体激光器设备及其制造方法

摘要

在两个半导体激光器的隆起部分的整个表面上形成光界限层，使其具有不超过2μm(大约0.5μm)的小的薄膜厚度；该光界限层由一种半导体构成，该半导体的折射率不同于p型第二包覆层的折射率。这样，隆起部分上的光界限层变得约略平坦，以便可以通过蚀刻来被容易地除去。结果，防止了因深入蚀刻而造成的隆起部分的p型第二包覆层的暴露，从而允许稳定地实现将光限制到p型包覆层中。电介质薄膜被形成在光界限层上，并加强了因光界限层的厚度减小而损失的电流收缩功能。

主权项

1.一种半导体激光器设备，其中，多个半导体激光器被并置在半导体衬底上，其特征在于：这些半导体激光器每个都包括：活性层；被布置在该活性层的两侧上的第一包覆层和第二包覆层；以及，位于第二包覆层上的接触层，其中，第二包覆层和接触层的一部分构成隆起部分，以及，该半导体激光器设备包括：光界限层，在除每个第二包覆层每层的隆起部分的上表面以外的区域中提供该光界限层，该光界限层的折射率不同于第二包覆层的折射率；以及，在该光界限层上所提供的电介质薄膜。