半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件，其中存储单元固有的步骤数减少到尽可能的值，以实现单元尺寸的减少和抗软件误差的充满性。栅氧化物膜306和电容绝缘膜310是经一步并且是同一层氧化物膜形成步骤形成，栅电极305和电荷保持电极309是经一步并且是同一电极形成步骤形成。电容电极连接的局部互连311和位线连接的局部连接312是经同一互连形成步骤形成，而沿字线方向相邻的有源区303是按一个栅电极305偏置设置的。

主权项

1.一种具有动态随机存取存储器的半导体器件，该动态随机存取存储器具有多个各带一个晶体管和一个电容器的存储单元，其特征在于，每个所述的存储单元包括：(a)由同一绝缘层形成的所述晶体管的栅氧化物膜(306)和所述电容器的单一电容绝缘膜(310)；(b)所述晶体管的栅电极(305)和所述电容器的电荷保持电极(309)，它们通过处理同一导电层而形成，以便给出想要的形状；(c)由用于隔离有源区(304)的绝缘膜(302)覆盖的绝缘区，所述的有源区由长边和短边限定；(d)沟槽(304)，所述沟槽通过在用于隔离所述有源区的所述绝缘膜的预定部分设一孔口，而形成在用于隔离所述有源区(303)的绝缘膜(302)覆盖的所述区域内；(e)所述沟槽(304)形成在相邻的栅电极(305)之间；(f)所述沟槽(304)形成在偏离所述有源区(303)的长边方向90°的方向上；(g)所述电容器的电荷保持电极(309)的部分或者全部被埋置在所述沟槽(304)中；以及(h)沿沟道长度方向相互邻近的所述栅电极(305)的所述有源区(303)被邻近的一个栅电极偏置。