一种具有空气间隔的集成电路结构及其制作方法

摘要

本发明是提供一种具有空气间隔(air gap)的集成电路结构及制作方法。首先于一基底上形成一底层，并于该底层上形成一第一层金属导线图案。接着于第一层金属导线图案以及底层上形成一介电层，并于该介电层上形成一第二层金属导线图案。随后利用第一层金属导线图案以及第二层金属导线图案作为一蚀刻屏蔽，非等向性蚀刻部分的该介电层以及该底层，以形成复数个凹槽，同时使剩余的介电层构成第二层金属导线图案的支撑结构。最后进行一化学气相沉积(CVD)制程，以于各该凹槽表面以及第二层金属导线图案上沉积一盖层，并封盖各该凹槽，形成复数个空气间隔。

主权项

1.一种具有空气间隔的集成电路结构，其特征在于所述结构包含有：一基底，其上具有一底层；一第一层金属导线图案，形成于该底层上；一第二层金属导线图案，形成于该第一层金属导线图案上方；一支撑结构，形成于该第一层金属导线图案以及该第二层金属导线图案之间，用来支撑该第二层金属导线图案，其中该支撑结构包含有一经过等向性蚀刻的介电层；以及由一盖层所形成的复数个空气间隔，形成于该第二层金属导线图案之间。