| 发明名称 | 测定绕线可靠性之电子迁移测试结构 | ||
| 摘要 | 本发明系一种测定绕线可靠性之电子迁移测试结构，在这个测试结构的第一个测试结构连接区(I1)及第二个测试结构连接区(I2)之间有一个包括一个电迁移区(L)及一个电迁移阻障区(V)的待测试区。为了能够以快速加速测试的方式直接精确的估计(半导体电路或薄膜电路的)最大使用寿命，故在非常靠近电迁移阻障区(V)的位置设置第一个感应器接头(S1)及第三个感应器接头(S3)，并在第二个测试结构连接区(I2)旁设置第二个感应器接头(S2)。 | ||
| 申请公布号 | CN1502132A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN01822839.9 | 申请日期 | 2001.12.07 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | J·发泽卡斯;A·马丁;J·冯哈根 |
| 分类号 | H01L23/544 | 主分类号 | H01L23/544 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王勇 |
| 主权项 | 1.一种测定绕线可靠性之电子迁移测试结构，此种电迁移测试结构具有：--用来施加加热电流的第一个测试结构连接区(I1)及第二个测试结构连接区(I2)；--一个待测试区，此待测试区包括一个具有固定的材料流的电迁移区(L)及一个具有较小的材料流的电迁移阻障区(V)，而且系设置在两个测试结构连接区(I1，I2)之间；--用来记录待测试之电迁移阻障区(V)及电迁移区(L)失效的第一个感应器接头(S1)及第二个感应器接头(S2)；此种电迁移测试结构之特征为：第三个感应器接头(S3)在直接接 近电迁移阻障区(V)的位置与电迁移区(L)接通，而且电迁移区(L)的构造方式使其能够在内部形成大致均匀的温度分布。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||