| 发明名称 | 半导体器件及其形成工艺 | ||
| 摘要 | 半导体器件及其形成工艺。半导体器件(10)包括处在位于半导体器件衬底(11)中的沟道(14)内的场绝缘区(12)。该器件包括第一组件区和第二组件区。第一组件区靠近第一沟道，而第二组件区靠近第二沟道。该半导体器件包括下列特点之一：(a)第一沟道(14)中的第一衬里(20)，和第二沟道(34)中的第二衬里(36)，其中第一衬里(20)显著厚于第二衬里(36)；以及(b)第一组件区具有靠近第一沟道、具有第一曲率半径的第一边沿，而第二组件区具有靠近第二沟道(34)、具有第二曲率半径(R2)的第二边沿，其中第一曲率半径显著大于第二曲率半径(R2)。 | ||
| 申请公布号 | CN1502127A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN01816323.8 | 申请日期 | 2001.09.07 |
| 申请人 | 摩托罗拉公司 | 发明人 | 兰纳·P·西英;李池南 |
| 分类号 | H01L21/762;H01L27/088 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.半导体器件，包含：场绝缘区，位于处在半导体器件衬底中的沟道中，其中沟道包括第一沟道和第二沟道；以及第一组件区和第二组件区，其中第一组件区靠近第一沟道，而第二组件区靠近第二沟道；其中半导体器件包括选自下列组中的特征：第一沟道中的第一衬里，和第二沟道中的第二衬里，其中第一衬里显著厚于第二衬里；以及第一组件区具有靠近第一沟道、具有第一曲率半径的第一边缘，而第二组件区具有靠近第二沟道、具有第二曲率半径的第二边缘，其中第一曲率半径显著大于第二曲率半径。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺斯 | ||