| 发明名称 | 一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置。本实用新型是这样实现的：一种在硅片上制作真空微腔的预键合装置，它包括有真空室主体、真空室上盖、真空阀、氮气阀、承片架、活动杆和硅片对位台；其中，承片架和硅片对位台固定在真空室主体内部底座上，在真空室主体的侧壁上设置有活动杆，在活动杆与真空室主体的连接处粘接有密封圈，在真空阀上设置有真空计。本实用新型的优点是：在硅片上制作出来的微腔内的真空度能满足设计要求，操作简便。 | ||
| 申请公布号 | CN2619363Y | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN03234160.1 | 申请日期 | 2003.04.25 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 | 发明人 | 张正元;刘兴凤;杨国渝;温志渝 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 | 代理人 | 侯懋琪 |
| 主权项 | 1、一种在硅片上制作真空微腔的予键合装置，其特征在于：它包括有真空室主体(1)、真空室上盖(2)、真空阀(3)、氮气阀(4)、承片架(5)、活动杆(6)和硅片对位台(8)；其中，承片架(5)和硅片对位台(8)固定在真空室主体(1)内部底座上，在真空室主体(1)的侧壁上设置有活动杆(6)，在活动杆(6)与真空室主体(1)的连接处粘接有密封圈(7)；在真空阀(3)上设置有真空计(9)。 | ||
| 地址 | 400060重庆市南坪花园路14号24所 | ||