| 发明名称 | 磁性隧道结器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁性隧道结(MTJ)器件及其制造方法。该磁性隧道结器件包括：一衬底，以及顺序叠置在该衬底上的一固定层、一隧道势垒和一自由层。一由金属氮化物形成的磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间。对所述整个MTJ器件进行热处理，以便减小磁性结电阻。在具有预定厚度的磁致电阻缓冲层中的氮与隧道势垒的元素相结合，于是提高了均匀性。另外，通过进行氮等离子体处理和热处理，可以制造高MR比、低RA值的高性能MTJ器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1501523A | 申请公布日期 | 2004.06.02 |
| 申请号 | CN03152609.8 | 申请日期 | 2003.07.31 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金泰完;赵炳起;沈希宰 |
| 分类号 | H01L43/06;H01L43/14;G11C11/18 | 主分类号 | H01L43/06 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种磁性隧道结器件，包括：一衬底；以及一固定层、一隧道势垒、和一自由层，它们顺序叠置在所述衬底上，其中由金属氮化物形成的一磁致电阻缓冲层置入所述固定层和所述隧道势垒之间，并且对所述整个磁性隧道结器件进行热处理，以减少磁性结电阻。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||