发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, PRODUCTION METHOD AND OPERATIONAL METHOD
摘要
申请公布号 EP1423880(A1) 申请公布日期 2004.06.02
申请号 EP20020760145 申请日期 2002.09.02
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 SPECHT, MICHAEL;HOFMANN, FRANZ
分类号 G11C16/04;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/51;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L27/115;H01L21/824 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
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