发明名称 避免产生弧光效应之形成开口的方法
摘要 本发明提供一种避免产生弧光效应之形成开口的方法,首先,提供一基底,将基底放置于一蚀刻处理室;接着,对基底表面进行电浆处理,以中和基底表面电性成为电中性或带正电性;然后,对基底进行非等向性蚀刻,以在基底上形成开口。
申请公布号 TW200409231 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW091134170 申请日期 2002.11.25
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 马庆辉;陈昭成;吴仓聚;游辉昌;陶宏远
分类号 H01L21/3065 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人 洪澄文;颜锦顺
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区园区三路一二一号
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