自行对准分散闸极NAND快闪记忆体及制法SELF-ALIGNED SPLIT-GATE NAND FLASH MEMORY AND FABRICATION PROCESS

摘要

自行对准分散闸极NAND快闪记忆胞阵列以及制法，其中，在位元线扩散与共源极扩散之间形成一序列自行对准分散胞。每一胞具有堆叠的且相互对准之控制及浮动闸极、以及第三闸极，第三闸极系与该控制及浮动闸极分散但是自行对准。在某些揭示的实施例中，使用分散闸极作为抹拭闸极，在其它实施例中，它们被用作选取闸极。记忆胞实质上小于知的胞，且列会被偏压，以致于当规划是位元可选取时，其中的记忆胞可以被同时抹拭。