| 摘要 |
本发明揭示一种用于生长氮化物半导体之基板1，该基板1具有一第一面和一第二面且其热膨胀系数大于氮化物半导体的热膨胀系数。将至少n型氮化物半导体层3至5、主动层6和p型氮化物半导体层7至8加以叠压，而得以在该基板1的该第一面上形成一氮化物半导体层叠体。在该p型氮化物半导体层8上形成一包含一层以上金属层之第一接合层。一具有一第一面和一第二面之支撑基板的热膨胀系数大于氮化物半导体的热膨胀系数，并且等于或小于用于生长氮化物半导体之该基板1的热膨胀系数。在该支撑基板的该第一面上形成一包含一层以上金属层之第二接合层。该第一接合层9与该第二接合层11互相面对且接着热压而得以接合在一起。之后，从该氮化物半导体叠体移除用于生长氮化物半导体之该基板1，以此方式提供一种氮化物半导体装置。 |
