半导体装置之制造方法

摘要

本发明之半导体装置之制造方法，包含以下步骤：使具有金属–氮结合的第1处理气体沿着被处理基板表面流动，于上述被处理基板表面进行第1处理之步骤；及使含O3的氧化气体作为第2处理气体沿着上述被处理基板表面流动，于上述被处理基板表面进行第2处理之步骤；且于上述第1及第2步骤，以上述被处理基板的温度为350℃以下。