发明名称 偏压溅镀膜形成方法和装置
摘要 本发明提供一偏压溅镀膜形成方法和薄膜形成装置,其能够在诸如接触孔、通孔、及配线槽等复杂形状的微小涂层表面,尤其是对其侧墙部位,形成具有良好薄膜厚度分布之涂层膜。在具有溅镀气体入口3及真空排气孔2的真空室1中,基底台5和控制系统10专用的可变输出之功率源9被连接到设置有彼此面对的各自支托目标6和基底7之溅镀阴极4和基底台5之偏压溅镀薄膜形成装置。当事先将阴极电压设定成预定电压和以预定距离分开目标与基底时的基底偏压值;及对应于此基底偏压值的每一表面上之薄膜厚度分布被储存在控制系统10当作参考资料。自参考资料选择使每一表面之薄膜形成中的薄膜厚度实质上均匀之基底偏压值以成为当作变数的偏压函数,并且藉由此函数控制功率源的输出。
申请公布号 TW200408719 申请公布日期 2004.06.01
申请号 TW092124769 申请日期 2003.09.08
申请人 优贝克科技股份有限公司 发明人 李命久;冈村吉宏;富泽和之;豊田聪;五户成史
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本