| 主权项 |
1.一种用于半导体基体之高压处理室,其包括:a.一用于半导体基体之高压处理孔腔;b.复数注射喷嘴,其在一涡流角度导向进入该高压处理孔腔,可操作该复数注射喷嘴以在该半导体基体之一表面上方产生涡流;及c.第一及第二排出孔口,其系坐落紧接至该复数注射喷嘴之中心,可于第一时段中操作该第一及第二排出孔口以在该第一排出孔口之外侧提供一操作排出口,且可于第二时段中操作以在该第二排出孔口之外侧提供该操作排出口。2.如申请专利范围第1项之高压处理室,其中该高压处理孔腔包含一半导体基体固定表面、一与该半导体晶圆固定表面相向之排出孔口表面、及一耦合该半导体基体固定表面至该排出孔口表面之圆柱形表面。3.如申请专利范围第2项之高压处理室,其中该圆柱形表面包含复数注射喷嘴。4.如申请专利范围第2项之高压处理室,其中该排出孔口表面包含该第一及第二排出孔口。5.如申请专利范围第4项之高压处理室,其中该高压处理孔腔于该半导体基体固定表面及该排出孔口表面之间包含一紧接一致之距离。6.如申请专利范围第4项之高压处理室,其中该高压处理孔腔于该半导体基体固定表面及该排出孔口表面之间包含一不一致之距离。7.如申请专利范围第6项之高压处理室,其中该不一致之距离包含一在该排出孔口表面之一外缘处之最大値及一在该排出孔口表面之中心处之最小値。8.如申请专利范围第6项之高压处理室,其中该不一致之距离包含在该排出孔口表面之一外缘处之第一距离、在该排出孔口表面之外缘及中心间之一中介位置处之第二距离、及在该排出孔口表面之中心处之第三距离,且其中该第一距离及该第三距离之每一距离进一步大于该第二距离。9.一种用以处理半导体基体之高压室,其包括:a.一高压处理孔腔,其包含一半导体基体固定表面、一与该半导体晶圆固定表面相向之排出孔口表面、及一耦合该半导体基体固定表面至该排出孔口表面之圆柱形表面;b.复数注射喷嘴,其位于该圆柱形表面中及定向在一涡流角度,可操作该复数注射喷嘴以在该半导体基体之一表面上方产生涡流;及c.第一及第二排出孔口,其系位于该排出孔口表面中而紧接至该复数注射喷嘴之中心,可于第一时段中操作该第一及第二排出孔口以在该第一排出孔口之外侧提供一操作排出口,且可于第二时段中操作以在该第二排出孔口之外侧提供该操作排出口。10.一种用以处理半导体基体之高压室,其包括:a.一高压处理孔腔,其包含一半导体基体固定表面、一与该半导体晶圆固定表面相向之排出孔口表面、及一耦合该半导体基体固定表面至该排出孔口表面之圆柱形表面,该高压处埋孔腔于该半导体基体固定表面及该排出孔口表面之间包含一不一致之距离,该不一致之距离包含一在该排出孔口表面之一外缘处之第一距离、在该排出孔口表面之外缘及中心间之一中介位置处之第二距离、及在该排出孔口表面之中心处之第三距离,且在此该第一距离及该第三距离之每一距离系大于该第二距离b.复数注射喷嘴,其位于该圆柱形表面中及定向在一涡流角度,可操作该复数注射喷嘴以在该半导体基体之一表面上方产生涡流;及c.第一及第二排出孔口,其系位于该排出孔口表面中而紧接至该复数注射喷嘴之中心,可于第一时段中操作该第一及第二排出孔口以在该第一排出孔口之外侧提供一操作排出口,且可于第二时段中操作以在该第二排出孔口之外侧提供该操作排出口。图式简单说明:图1说明本发明之一压力室机架。图2说明本发明之第一另类选择压力室。图3说明本发明之第一另类选择压力室之剖面图,图4A及4B说明本发明之一隔离/注射环。图5说明本发明之一晶圆孔腔及二通孔排出口。图6说明本发明之一超临界处理组件及第二另类选择压力室。图7说明本发明之晶圆孔腔。图8A-8C说明本发明之第一至第三另类选择晶圆孔腔。图9说明本发明之较佳压力室。图10A及10B说明本发明之一上孔腔平板/注射环。 |
