| 主权项 |
1.一种制造具有式CAR1R2CBR3R4之卤化烷加成物之液相方法,其中R1.R2.R3及R4各独立选自包括H、Br、Cl、F、C1-C6烷基、CN、CO2CH3.CH2Cl及芳基,其条件是当R3或R4其中一个系选自包括C3-C6烷基、CN、CO2CH3.CH2Cl及芳基时,则R1.R2,及R3与R4中之另一个为H,及当R3与R4系选自包括Cl、F、CH3及C2H5时,则R1与R2均为H,以及当R1或R2其中一个,且R3或R4其中一个系选自包括Cl、F、CH3及C2H5时,则R1与R2中之另一个,及R3与R4中之另一个,系为H;A系选自包括CX3.CH3-aXa、CnH(2n+1)-bXb及CHCX2-cR,其中R为CnH(2n+1)-bXb,各X系独立选自包括Br、F、Cl及I,a为整数0至3,n为整数1至6,b为整数1至2n+1,及c为整数0至1;以及B系选自包括Br、Cl及I;其条件是(1)当A为CX3时,则只有其中一个X为I,(2)当A为CH3-aXa时,则各X为B,而当B为Br或Cl时a为2,及当B为I时a为整数0至2,及(3)当A为CnH(2n+1)-bXb时,则各X系独立选自Cl与F,且B为I,该方法包括:使式AB卤化烷与式CR1R2=CR3R4烯烃接触,在二或环状碳酸酯溶剂中,此溶剂系将反应混合物分隔成两个液相,及于触媒系统存在下进行,此触媒系统含有(i)至少一种包含单价铜之触媒;及(ii)至少一种离子性促进剂,选自包括经取代之卤化铵、啶及经取代之卤化啶,以及(MQ4)Y类型之四级盐,其中M为周期表第VA族元素,Q为C1-C18烃基,及Y为C1.Br或I。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中AB系选自包括CCl4.CBrCl3.CCl2FCCl2F、CCl3CClF2.CCl3CF3.CCl3CF2CCl3.CCl3CF2CF3.CCl3CH2CCl3.CCl3CH2CF3.CCl3CF2CClF2.CF3I、CF3CF2I、CF3CFICF3及CF3CF2CF2I。3.根据申请专利范围第2项之方法,其中烯烃系选自包括CH2=CH2.CH2=CHCl、CH2=CHF、CHCl=CHCl、CH2=CCl2.CH2=CF2.CH2=CHCH3.CH2 = CHCH2Cl及CH2=CHC6H5。4.根据申请专利范围第1项之方法,其中铜触媒系选自包括氯化铜(I)、溴化铜(I)、碘化铜(I)、醋酸铜(I)及硫氰酸铜(I)。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中反应系以连续方式操作。6.根据申请专利范围第1项之方法,其中溶剂系选自包括碳酸乙烯酯、碳酸丙烯酯、碳酸丁烯酯、碳酸1,2-环己烷酯、丙二、丁二、乙基丁二、戊二、甲基戊二、己二、庚二、辛二及其混合物。7.一种制造氢氟基烷之方法,其包括:(a)根据申请专利范围第1项之方法,使AB与CR1R2=CR3R4反应,以制造卤化烷加成物,其条件是R1.R2.R3及R4系独立选自H、CH3.C2H5.Cl及F,B与X为Cl,及AB与CR1R2=CR3R4中至少一个含有氢;及(b)使(a)中制成之加成物与HF反应。 |
