制造p型透光导电膜的方法及其系统

摘要

一种制造p型透光导电膜的方法及其系统，系以雷射光束提供能量来作为靶材的蒸发源，使含有三价元素的靶材气化产生靶材粒子进而在基材上形成镀膜，同时，使欲混入镀膜之气体形成电浆以提高其活性，其气体中系含有五价元素，再使靶材粒子和电浆产生反应，令形成之镀膜结构同时含有五价元素和三价元素，并且五价元素浓度系高于三价元素浓度，以达到制造p型透光导电膜的目的。伍、(一)、本案代表图为：第 1图(二)、本案代表图之元件代表符号简单说明：10 真空腔体11 石英窗12 气体进口20 真空帮浦30 靶材31 靶材粒子40 准分子雷射光束50 基材60 加热器70 激发源80 电浆

主权项

1.一种制造p型透光导电膜的方法,系于一真空腔体内进行镀膜制程,其步骤包含有:提供一基材,系设于该真空腔体内;提供一靶材,该靶材系掺杂有三价元素;提供一雷射光束投射于该靶材,以提供能量使该靶材部分气化形成该靶材粒子;激发一气体以形成一电浆,该气体系含有五价元素,该电浆系与该靶材粒子产生反应;该靶材粒子沉积于该基材表面形成该镀膜,该镀膜同时含有一五价元素和一三价元素,其中该五价元素浓度系高于该二价元素浓度。2.如申请专利范围第1项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该靶材的材质系为氧化锌。3.如申请专利范围第1项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该靶材所掺杂之该三价元素系为铝、镓和铟所组成的族群其中之一。4.如申请专利范围第1项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该雷射光束系为一准分子雷射光束。5.如申请专利范围第4项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该准分子雷射光束系为氟化氪(KrF)准分子雷射光束,其功率为20mJ/cm2到1000mJ/cm2(每平方公分毫焦耳)。6.如申请专利范围第1项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该激发一气体以形成一电浆的步骤,该电浆之激发频率系为1000Hz至200 MHz (赫兹)。7.如申请专利范围第1项所述之制造p型透光导电膜的方法,其中该激发一气体以形成一电浆的步骤,该气体所含之该五价元素系为氮、磷、砷所组成的族群其中之一。8.一种制造p型透光导电膜的系统,系用以于一真空腔体内进行镀膜制程,其包含有:一靶材,系设于该真空腔体内,该靶材系掺杂有一三价元素;一雷射源,系提供一雷射光束投射于靶材,以提供能量使部分该靶材气化形成该靶材粒子;一基材,气化后之该靶材粒子系沉积于该基材表面形成一镀膜;一激发源,系用以将欲混入该镀膜之一气体激发形成一电浆,该气体系含有五价元素,激发之电浆系与该靶材粒子反应,使形成于该基材表面之该镀膜同时含有一五价元素和一三价元素,该镀膜中的该五价元素浓度高于该三价元素浓度。9.如申请专利范围第8项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该靶材的材质系为氧化锌。10.如申请专利范围第8项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该靶材所掺杂之该三价元素系为铝、镓和铟所组成的族群其中之一。11.如申请专利范围第8项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该雷射光束系为一准分子雷射光束。12.如申请专利范围第11项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该准分子雷射光束系为氟化氪(KrF)准分子雷射光束,其功率为20mJ/cm2到1000mJ/cm2(每平方公分毫焦耳)。13.如申请专利范围第8项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该激发源的该电浆激发频率系为1000Hz至200MHz(赫兹)。14.如申请专利范围第8项所述之制造p型透光导电膜的系统,其中该气体所含之该五价元素系为氮、磷、砷所组成的族群其中之一。图式简单说明:第1图为本发明实施例之系统示意图;第2图为本发明实施例的流程图;